一.功率半导体概览
功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心元器件，用于需要电能处理和转换的场景。
按集成度划分，功率半导体可以分为功率分立器件、功率模块和功率IC三大类。
分立器件包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。
（1）二极管、三极管、晶闸管，在结构上都由简单的PN结组成，开关速度慢，常用于低频领域。
（2）MOSFET、IGBT属于第二代功率半导体，是目前主要细分市场，分别占比40%、25%。
整体来看，在低压下，MOSFET在电性能和价格上具有优势；超过600V以上，电压越高，IGBT优势越明显。
二. MOSFET
MOSFET又称MOS管，是电压控制型器件，具有开关和功率调节功能。
与其他功率器件相比，MOSFET的开关速度快、损耗小，能耗低、便于集成，在通信、消费电子、汽车电子、工业控制等众多领域有广泛应用。
从竞争格局来看，全球MOSFET行业集中度高，由英飞凌、安森美、东芝等欧美日系厂商主导，国内厂商市占率仍处于较低水平。
华润微：国内功率半导体IDM大厂、MOSFET龙头厂商。产品包括功率半导体、智能传感器及智能控制产品。
闻泰科技：旗下安世半导体为全球领先的功率半导体IDM厂商，小信号二极管和晶体管出货量全球第一、小信号MOSFET全球第一、功率分立器件全球第六。
士兰微：国内功率半导体IDM大厂，MOSFET、IPM模块国内市占率领先。公司业务涵盖分立器件、集成电路、发光二极管三大类，分立器件覆盖MOSFET、IGBT等产品。
新洁能：国内MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件设计大厂。
三. IGBT
3.1 定义及下游应用
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是电能转换与电路控制的核心器件，能耗低、散热小，稳定性高，适用于中、大功率电子器件。
IGBT根据封装形式可分为IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块与IPM模块。
（1）IGBT单管：内部封装单个IGBT芯片。
（2）IGBT模块:内部由多个IGBT芯片封装，功率较单管更，是IGBT最常见的应用形式。
（3）IPM模块：智能功率模块，内部集成栅极驱动电路与保护电路。
依据电压等级不同，可划分为低压、中压和高压IGBT：
（1）600V以下的低压IGBT主要应用于消费电子领域。
（2）600V-1200V的中压IGBT主要应用于新能车、光伏逆变器、家电、工业领域。
（3）1700V以上的超高压IGBT主要应用于轨交、风电、电网领域。
3.2 IGBT增量市场
新能源车是IGBT最大增量市场。IGBT是新能车电控系统和直流充电桩的核心器件，其成本占到整车成本的10%，占充电桩成本的20%。
光伏和储能是IGBT第二增量市场，IGBT是光伏逆变器、储能逆变器的核心器件。
3.3 IGBT产业链
按公司运作模式可分为Fabless、Foundry、IDM三类。
（1）Fabless模式主要负责芯片设计以及产品销售，将生产环节外包，国内厂商有斯达半导、新洁能等。
（2）Foundry模式主要负责晶圆制造，主要厂商有中芯国际、华虹半导体等。
（3）IDM模式集芯片设计、制造、封测环节于一身，全球龙头厂商多为此模式，比如英飞凌、三菱等。国内厂商有比亚迪、时代电气、扬杰科技、士兰微等。
3.4 IGBT竞争格局
全球IGBT竞争格局来看，行业较为集中。英飞凌（德）、三菱（日）、富士电机（日）、安森美（美）、东芝（日）合计占据了70%市场份额。
在IGBT模块市场中，英飞凌市占率近40%，随后包括富士电机、三菱、赛米控，威科、斯达半导。
斯达半导：国内IGBT模块龙头，全球前十的IGBT模块供应商。
时代电气：国内轨交装备龙头，轨交电网IGBT龙头。产品包括轨交电气装备、轨道工程机械、通信信号系统等。
扬杰科技：主营各类功率半导体（MOSFET、IGBT、小信号二三极管、大功率模块等），经营模式采用IDM、Fabless 并行。