一. 碳化硅SiC概览
半导体材料按照历史进程可分为：第一代（高纯度硅），第二代（砷化镓、磷化铟），第三代（碳化硅、氮化镓）。
碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的核心。相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能。
基于碳化硅材料的半导体器件主要应用于新能源车、充电设备、通信设备、白色家电及工业领域。
对于碳化硅行业而言，市场目前受制于产能不足、良率低，目前整体市场规模较小。
二. 碳化硅产业链
产业链主要分为衬底、外延生长、设计、制造、封装五个流程。
2.1 碳化硅衬底
碳化硅在半导体中的主要形式是作为衬底材料。衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节。
根据衬底性质分为：导电型衬底和半绝缘型衬底两大类。
（1）导电型衬底适用于功率器件，下游应用包括新能源车、光伏等。
（2）半绝缘型衬底适用于射频器件，下游应用包括5G通信、卫星等。
全球碳化硅衬底市场格局：
（1）半绝缘型SiC衬底：Wolfspeed、II-VI、天岳先进三足鼎立，合计市占率98%。
（2）导电型SiC衬底：Wolfspeed、II-VI、罗姆三足鼎立，合计市占率90%。
碳化硅衬底技术难度高，国内具备技术储备和量产能力的公司较少，主要厂商包括三安光电、晶盛机电、天岳先进、露笑科技等。
天岳先进：国内第一，全球第三大半绝缘型SiC衬底厂商，产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。
露笑科技：从事碳化硅、漆包线、光伏发电和新能源汽车四大业务。
2.2 碳化硅外延
碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长一层与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。
碳化硅器件不可直接制作于衬底上，需先使用化学气相沉积法在衬底表面生成所需薄膜材料，即形成外延片，再进一步制成器件。
全球碳化硅外延厂商有昭和电工、II-VI、Norstel、Wolfspeed、Rohm、三菱电机、罗姆等。
国内厂商具备替代空间，目前国内瀚天天成、东莞天域均可供应4-6英寸外延。
三安光电：国内最大全色系LED芯片生产企业，以砷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。
2.3 碳化硅器件
碳化硅器件主要应用于高压、大功率领域，下游包括新能源车、光伏、储能、充电桩、电源PFC、UPS等。
全球碳化硅器件主要厂商包括：英飞凌、意法半导体、安森美、罗姆。
国内碳化硅器件厂商主要包括斯达半导、时代电气、扬杰科技、新洁能、双良节能、闻泰科技、华润微、士兰微等。
斯达半导：国内IGBT模块龙头，全球前十的IGBT模块供应商。已量产光伏SiC器件及车规SiC模块；投建全SiC功率模组产业化项目。
士兰微：国内功率半导体IDM大厂，MOSFET、IPM模块国内市占率领先。公司业务涵盖分立器件、集成电路、发光二极管三大类。6吋SiC功率器件芯片生产线在建。
华润微：国内功率半导体IDM大厂、MOSFET龙头厂商。拥有国内领先的SiC生产线，SiC二极管产品已量产。
闻泰科技：旗下安世半导体为全球领先的功率半导体IDM厂商，小信号二极管全球第一、小信号MOSFET全球第一、功率分立器件全球第六。大力发展氮化镓和碳化硅技术。