sss00 的讨论

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再补充:根据迈为纪要2307,钢板下,背面1:2相比1:1效率降低0.15%,也即粗略估计AZO从50%比例到66%的16%提升(对应75nm*16%=12nm)导致了0.15%的效率下降,那么总计提效0.2%的双面IMI结构的181层可以至少叠加的AZO约为12nm(具体肯定不是这么算的,因为两种结构的串联电路的各电阻权重发生变化,从而各自的效率对AZO比例的偏导数是不同的,不过粗略估计也差不多),因此总体降铟(50+12)/150=42%,当然这里是按照专利的实施例的数据来算的,而实施例只是满足专利所有要求的一个参考的解法,不会是最优解,那么降铟的潜力估计能高于42%

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2023-09-09 21:12

不是计算AZO从0-12nm的总衰减,而是计算单纯AZO比例提高带来的衰减量,最后算上IMI的增益必须还得是正的,就是IMI增益0.25,AZO12nm衰减0.15不到,最后实际增益为0.1%

2023-09-09 21:06

后面我发了个图,有计算对比不同栅线宽度的,结果依然是小于,除非钢网能做到12μm以下

是啊,0到12nm效率衰减肯定小于50%到67%。考虑栅线细化的条件,也要考虑IMI叠层增效的条件,那综合看AZO从0到12nm效率衰减还是小于0.15%的吧?

2023-09-09 20:51

总结一下便是:如果迈为数据没什么问题,那么IMI结构背面做12nmAZO降低的效率应该小于0.15%,即如果降低同样的效率,可以叠加更多的AZO,考虑到专利的实施例就单面提效0.11%了,那么乐观的话l量产方案双面提效0.25%,全部舍弃则可以叠加20nm左右AZO(0-15nm降低0.15%,后续加速衰减,15-20nm降低0.1%)

2023-09-09 20:23

这个积分值依赖于f的形式,f又依赖于链式法则里的两个偏导数,第二个是反比,第一个比较复杂,如果假设成线性,那么直接用中值定理,IMI结构增加12nm后效率降低不高于0.15%的条件为f(ξ1)≤0.75f(ξ2),这个对于反比函数明显可以做到,甚至条件再恶劣一点(即线宽低于20μm,从而系数比0.75小)也依然能做到

2023-09-09 20:15

2023-09-09 19:48

那么C=50%处的任意△C的衰减量为△C*(∂η/∂C)|c=50%大于△C*(∂η/∂C)|c=0%,从而IMI结构从0开始增加12nm,衰减量肯定小于从50%增加12nm,所以IMI结构是赚的,但这是对于IMI结构自身而言的,如果用迈为的方案去推断IMI结构,由于两个方案△d不同,还需要算迈为的△d的减少导致的∂η/∂C的绝对值的减少,这样又被平衡回来了,所以估算用线性估计差不太多

2023-09-09 19:44

非线性,效率η对比例C的偏导数用链式法则写出来大概是(∂η/∂R并)(∂R并/∂C)这个变化肯定不是线性,见下图(我这个补充说错了,是并联不是串联,第一项还要考虑FF)

前置条件不同,这个降效比例是否能线性外推?AZO随比例提升加速失效?