$东方日升(SZ300118)$ 之前对于叠层TCO分析存在一些错误，这里做点修正和补充(具体名词解释看我上一篇贴)
1、专利的具体实施例：
181层:45nm(991靶材) 182层：5nm(金属铝) 183层：5nm(9010靶材，SnO2占10%)
即，背面从75nm纯ITO(991)变成55nm的ITO/M/ITO结构，ITO厚度从75减到50，减少25，且尚未使用AZO叠层，只是对纯ITO的一点改良
2、这个结构的效果：
第一对比例：双面75+75nm纯ITO，对比结果，背面IMI结构提效0.1%，降本13%(25/150=16%，同时还有金属层的成本增加，所以降幅比16%低一点很合理)
第二对比例：无中间金属层，对比结果，提效0.06%，即可以理解为金属层和181/183各提供一半的电学性质的提升(参考上一篇的分析)
总结一下：背面IMI结构的价值在于，在目前金属化技术(暂不考虑mw拖了2年都搞不出来的钢网)完全无法给栅线优化设计的细栅设计部分(宽度降低，高宽比提高，来做到在增加线数同时降低宽度，即维持银耗不变下，细栅间距的降低对叠加AZO后的TCO导电性下降做补偿)提供任何工艺窗口的情况下，通过对ITO在不牺牲电学性质的前提下的结构改良，做到同时降本且增效。
(换言之，丝印技术下，细栅无法重新设计导致了，想要叠加AZO，则必须从TCO本身的材料、结构下手)
则接下来需要探讨的是从3.6分降低到1.5分的可行性，以及更大的空间
1、正面只导入IMI结构而不做AZO叠层的可行性，双面导入IMI可总计提效0.2%，降本30%
2、背面181层做20nm的AZO叠层(45→25+20)的可行性，即舍弃0.2的提效，再降约15%的ITO用量
3*、(较难)期待金属化技术的突破(钢网、喷墨、电镀)，钢网若能做到20μm$$以下的线宽(迈为意思年底，而且目标15μm，再信你一次)，则直接可以推进细密副栅，背面AZO比例可超过一半(AZO比例的极限由钢网线宽决定，线宽下降的比例≈线数的最大提升比例≈副栅间距缩短的最大比例≈电阻率提升的最大比例≈AZO最大比例)，比如1:2甚至1:3，若新型TCO材料直接镀技术未来突破则将绝杀(极致线宽和高宽比，超低步骤低金属化成本)
则在1、2的假设成立下，最后的效果是：正面IMI+背面I/M/AZO/ITO，合计降铟约45%，效率相比原结构不变或微降，靶材成本降至1.7-1.8分/w，在想大幅降低只能依赖金属化技术
以上内容不作为投资依据