| 发布于: 修改于: | 雪球 | 回复：19 | 喜欢：0 |
emm还是稍有点不对，就是说，50-66的衰减大于0-16是建立在同一个细栅线宽的前提下的，比如迈为自己和自己比，东方自己和自己比，但是不同方案还要考虑细栅宽度的影响(我算的就是这个部分)，当线宽比丝印的一半小的话，比如电镀后10μm，丝印26μm，那么丝印的0-16降得会比电镀的50-66多(其实是电镀降得变更少了)，当然对于电镀自身还是依然满足加速衰减规律，即电镀0-16衰减＜电镀50-66衰减＜丝印0-16衰减＜丝印50-66衰减。(衰减和imi无关，只和线宽即比例有关)
你这歌理解是对的，迈为的50-66会掉0.15，例如迈为做了细栅优化后，50azo效率不变，为25.5，那么提到66后会变成25.35，日升imi做完就已经25.75，然后加16azo的效率降低是小于0.15的，为25.6，还盈余了0.1，可以继续用来增厚，知道效率掉到25.5
我知道是单纯算AZO衰减。我的意思是在栅线细化增效条件下使得在50%AZO下总效率不衰减，但从AZO50%到66%衰减是大于0到16%的吧，所以在IMI增效条件下单纯AZO16%的衰减是小于0.15%吧？可能是我理解错了，理论方面我不如你专业。
所以计算结果是，12nm的imi叠azo的效率衰减小于迈为的12nm衰减，即最后效率会高于25.75-0.15=25.6，imi+12azo依然比传统ito提效0.1%，那么如果效率不减，可以增加更多的厚度