懒猫的悠闲时光 的讨论

发布于: 雪球回复:5喜欢:0
MW的PVD溅射单元优化说可以做到12mg/W铟耗就是3分/W,50%降铟6mg/W就是1.5分/W,不过同时要配合栅线优化。如果这个方案能不需要细化栅线,就能不降效减铟40%+,那就很炸了。有个问题请教下,为什么背面ITO叠层不是90:10靶材/Al/99:1靶材,与P型薄膜接触的不是要用功函数小的靶材?

热门回复

2023-09-09 11:55

直接看这个即可

理解了[很赞]

2023-09-09 11:32

所以我的理解是,功函数只是结果,不是目的,目的是掺杂浓度,按我上一贴说的,顶部重掺杂提高接触性,费米能级上移,功函数下降,底部需要高透光,消除简并,掺杂浓度下降,费米能级下降,功函数提高,但是其对p层的影响没什么区别,都会被钉扎

2023-09-09 11:27

2023-09-09 11:24

功函数这个我是真没搞懂[哭泣],教材上学的是因为半导体表面态的原因,费米能级都钉扎在表面态处,所以功函数大小没有影响。。。而且背面的少子是空穴,功函数大点小点只是稍微改变点原费米能级的位置,但是价带还是离p层的价带非常远,有很高的势垒,可以参考22年9月的叠层大会阿特斯给的能带图。然后是栅线优化问题,这个迈为七月刚说,银浆用量卡死了,那么不存在不改变细栅形貌而提高线数的可能性,那么平衡AZO的办法只有ITO结构,其实就是套娃两次叠层,这个结构做到是肯定没问题的,可以看我上面的评论。