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回复@sss00: 这还只是IBC结构,效率和成本失衡,所以为了提升效率还要结合HJT的非晶硅钝化技术或是Topcon的钝化接触技术或者是同时结合HJT和topcon的结构,要增加很多薄膜沉积、激光开槽等工艺流程。不过激光开槽可以绕过掩膜,降低成本。//@sss00:回复@懒猫的悠闲时光:其实我没研究过hbc,概念图也就看了华晟放的松下和夏普的图,结构很奇怪,然后自己也有其他行业要研究,就没在挖下去了,如果以经典的ibc结构,麻烦还是很多,为了把正面电极拉到后面去,需要做成类似mosfet的那种交替间隔掺杂的结构,而且必不可免需要深度掺杂p+,即se掺杂,交替的结构也需要反复做遮挡、掺杂、消除遮挡、保护已掺杂的、在掺杂,这其中遮挡材料便是类似光刻胶这种昂贵耗材,工艺复杂度也大大提升,就为了个内部的反复反射提升光程,性价比太低,更何况,中国光伏企业技术水平很差的,何必搞这种半导体工艺呢?
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引用:
2023-09-05 18:33
$东方日升(SZ300118)$ 粗略计算了一下,按照隆基给的数据4%效率增幅可以覆盖20%双面率损失,倒推一下差不多就是按照25%的双面发电增益来算的,那么要弥补40左右的双面率损失,差不多需要10%增益,hbc最快也得25年,届时hjt保守能有26.5的效率,那么hbc需要近29以上的效率才能在发电量上持平,这是...

全部讨论

2023-09-06 14:37

其实本质便是,“物理结构之间的耦合度”,复杂工艺良率低是表面上的劣势,更潜在的问题是高度的结构复杂度对于其他新结构存在很高的耦合性(相关性),体现在对于新结构的不兼容、排斥(也可以理解为引入结构的性能叠加为非线性,要减去不兼容导致的损失),这直接导致了可以满足各个小技术的物理结构的集合的交集会非常小,且这个交集会随复杂度增加愈发变小,如下图,则要么凭借极强的科研灵感(小概率),要么就得平庸地打结构补丁进一步提高耦合度,使得结构创新举步维艰。
更进一步,耦合度导致的另一个结果便是,极低的研发回报率,即研发投入产出比,仅仅以短期的单结电池视角来看,想要获得相同降本效果,高耦合度路线需要的时间金钱更多,研发回报率很低,从长期视角来看,即考虑当前技术产出对叠层电池的贡献,则更是趋于0,甚至为了短期寻找能够互相兼容的结构交集而打的补丁很可能会给自己挖天坑,和未来的某个必备的新结构(比如叠层)存在不可调和的矛盾,即短期最优解成为了长期最差解