其实我没研究过hbc，概念图也就看了华晟放的松下和夏普的图，结构很奇怪，然后自己也有其他行业要研究，就没在挖下去了，如果以经典的ibc结构，麻烦还是很多，为了把正面电极拉到后面去，需要做成类似mosfet的那种交替间隔掺杂的结构，而且必不可免需要深度掺杂p+，即se掺杂，交替的结构也需要反复做遮挡、掺杂、消除遮挡、保护已掺杂的、在掺杂，这其中遮挡材料便是类似光刻胶这种昂贵耗材，工艺复杂度也大大提升，就为了个内部的反复反射提升光程，性价比太低，更何况，中国光伏企业技术水平很差的，何必搞这种半导体工艺呢？