$Everspin Technologies, Inc. Common Stock(MRAM)$
“Electronic spin forever”
2010年5月11日，Everspin在北京召开媒体发布会，推出他们的16MB MRAM存储器产品。
在2006年，当时还隶属于飞思卡尔半导体的Everspin便推出全球第一款商业化MRAM产品。2008年6月，飞思卡尔半导体将整个MRAM部门和业务独立出来， 并成立了Everspin科技公司。是目前为止，它仍是唯一一家实现MRAM商业化的公司。
当记者问起Everspin公司名称的由来时，EverSpin首席运营官Saied Tehrani这样回答，“电子的自旋永远不会停止。另外，我们希望应用了电子自旋原理的本公司MRAM产品永远保持高可靠性。我们把这种想法融入到了公司名称”。
EverSpin首席运营官Saied Tehrani
MRAM诞生记
在MRAM存储器中有一个富含创造性的设计，这也是Everspin的专利。MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础，MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层(fixed layer)，和一个通过隧道结(tunnel barrier)与其隔离的自由层(free layer)。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。
在MRAM的诞生过程中，设计的难点和关键节点，在于一个小电流通过“自由层”，并使之翻转，与固定层的极化方向相反或者相同。但是MRAM操作窗口特别小，即使很小的电流扰动也会造成错误。为此MARM的产品化道路一度陷入低迷。在2004初一个俄裔的MOTORALA 工程师公布他提出的新的MRAM结构和写入方法(TOGGLE MRAM)，人们才重新燃起了对MRAM的希望。这个天才工程师的主意非常巧妙，SONY 和 MOTORALA 马上拿出了第一手的实验数据. 实验证明TOGGLE MRAM具有相当大的操作窗口。另一个重大突破是2004年末IBM 和日本一家公司同时宣布拿到了300%的MTJ信号。业界在2004年是非常振奋的，一系列的突破暗示着MRAM的曙光就在眼前。而就在那一年，那个俄裔的MOTORALA 工程师去世了，他才30多岁。
不牺牲任何一个指标
现在MRAM有很多优异的指标，但是并非完美。它的存储密度和容量决定了它尚不能更大范围的替代其他存储器产品。而2010年4月，恒忆刚刚发布了世界首款PCM（PRAM）存储器产品。虽然PCM存储器尚不成熟：工艺制程需要优化，市场需要拓展。但是根据摩尔定律，芯片尺寸会越来越小，这也是为什么很多人都认为DRAM快走到了它生命周期的尽头。PCM存储器的存储密度远远高于MRAM和DRAM。在未来的五年里，它将是MRAM有力的竞争对手。还有生产铁电存储器的Ramtron公司，在智能电表等领域已经占领了相当的份额。MRAM想在未来新存储的世界里称王称霸，还是需要一番突围的。
Tehrani表示，MRAM会持续提升容量和各方面的性能。“而且”Tehrani表示，“我们不会在提升某一指标的过程中牺牲任何一个其他指标，它们还是会那样好，甚或更好。如果用牺牲某项指标来达到另一项指标的提升，新产品会源源不绝的推出，但那不是Everspin想要的，我们会迎难而上。”
我们可以认为，这是Everspin对未来的一个承诺。因为MRAM的容量很难做上去，问题并不出在工艺制程上，而是源于其结构的复杂性。MRAM上又有电又有磁，结构比Flash还要复杂，而且功耗也高，而PCM是高密度低功耗的。Everspin“不牺牲任何一个指标”的承诺，要依赖于未来技术上的重大突破，就像曾经Flash的猛速崛起一样。
16Mb MRAM正式问世
Everspin公司日前推出16Mb MRAM。
MR4A16B 是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。此外，与其它存储器不同，MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款16Mb MRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。
MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。
