“三星宣称,MRAM 是非挥发性存储器,采用自旋传输科技(Spin-torque transfer)读写数据,速度比 NAND 快了一千倍。不仅如此,MRAM 更省电,使用时(active)耗电量比传统存储器少,停用时(inactive)更无需用电。”从这几年存储的发展速度来看,人类科技进化还真是快啊。
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因为网站是说今年用28nm量产
用谷歌翻译大致看了看mram-info 引用的韩文,发现并没有明确说出三星mram量产的制程。只是说三星的制程的会到4nm和8nm。继续维持三星mram为28nmfdsoi工艺。
[笑]
厉害了