我们经常在网上浏览有关人工智能的新闻，都明白人工智能的核心在算力，算力越高，人工智能的硬实力越强。那么，谁能告诉我，算力到底是什么？怎么计算？算力和内存、带宽有什么关系？
或者举个例子吧！英伟达先后出了H100和H200两款GPU，逻辑芯片相同，区别主要是以下两点：一是H100显卡的内存为80GB，H200显卡的内存为141GB；二是H100显卡的带宽为3.35TB/s，H200显卡的带宽为4.8TB/s。
请问，H200的算力比H100增加了多少？
一、算力的简单计算公式
鉴于当前逻辑芯片的提升空间有限，提升算力的重要任务基本上都落在了HBM身上，HBM的两大核心指标分别是内存和带宽。
因此，在考虑逻辑芯片，只考虑HBM性能提升的情况下，GPU算力的计算公式可以简单概括为：
根据上面这个简单公式，我们就可以算出来H200比H100的算力提升了多少。
即，H200相比H100的算力提升了90%。
二、举一道小数数学题的例子来解释算力是什么？
从A地到B地有2条路可走，从B地到C地有3条路可走，那么从A地经B地到C地共有多少条路可走？
这道题的解答过程很简单，就是2乘以3等于6。
举这个例子的意思，其实是想说，GPU的算力就类似于A到C的路径选择有多少条，A到B的路越多（带宽越大）或者B到C的路越多（内存越大），A到C的路径选择就越多（也就是算力越高）。
那么为什么内存在算力的计算公式里要加上根号呢？我们再用两个正方形的例子来解释一下。
左边的正方形的边长是4，面积是16（这个面积就是左边芯片的内存）；右边的正方形的边长是8，面积是64（这个面积就是右边芯片的内存）。假设面积代表内存，那么右边正方形的内存就是左边的4倍。但是如果考虑路径通道的条数（这个影响算力），左边正方形（从左到右）的路径是4条，右边正方形（从左到右）的路径是8条，这意味着，右边正方形对算力的贡献值其实是左边的2倍，而右边正方形的内存却是左边的4倍。
三、正确理解HBM
上图就是HBM的简单原理图，想要提高带宽，就需要图上的TSV多打孔（路的条数增加）或者孔径增加（路的宽度增加）。这显然是有极限，不可能无限制地增加打孔数量和无限制地扩大孔径。
另一种办法，就是把上图的DRAM多垒几层，显然这个要求就低得多了，因为只要你学会了垂直堆砌内存芯片（DRAM）的工艺，堆2个，堆3个，甚至堆4个，都不是问题，直到发热、结构稳定性出现问题为止。
四、相关个股分析
（一）中微公司。中微公司是TSV设备主要供应商，能够提供8英寸和12英寸硅通孔刻蚀设备，可刻蚀孔径从低至1微米以下到几百微米的孔洞。
（二）赛腾股份。2023年11月，苏州赛腾股份紧随CAMT之后，拿到三星的量测设备美元大订单（明年上半年交付，后续随着三星HBM扩产大概率持续加单）。从赛腾股份3季度报看，赛腾股份2季度末的合同负债为9.58亿元，3季度末的合同负债为14.71亿元，环比增加5.23亿元。（估值方法：1元合同负债对应10元市值）
（三）太极实业。太极实业持股55%的海太半导体与SK海力士合资，专为SK海力士提供DRAM封装测试业务。
（四）香农芯创。香农芯创是代理SK海力士HBM产品的分销商，因为国内暂时不具备生产HBM的能力，因此，香农芯创具备“人无我有”的市场地位。
（五）深科技。深科技旗下沛顿科技配套CX存储，占CX存储5成以上封测份额。同时，沛顿科技正在布局HBM等更先进的存储产品封装工艺。
（六）长电科技、通富微电、华天科技等封测厂商。这些封测企业具备2.5D/3D的技术能力，有相关生产的可能性。
这里先不提壹石通、雅克科技、华海诚科等HBM材料供应商，等我能够量化HBM对这类企业业绩的直接影响有多大再细致地写写。
$中微公司(SH688012)$ $长电科技(SH600584)$ $华天科技(SZ002185)$
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