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美光科技宣布已经开始批量生产高带宽内存3E（HBM3E）解决方案，为人工智能的快速发展注入了新的动力。这标志着美光在业界迈出了关键一步，为人工智能解决方案提供了领先的性能和能源效率。
Part 1HBM3E技术背景
随着人工智能需求的不断增长，内存解决方案对于满足不断扩大的工作负载需求至关重要。美光的HBM3E解决方案通过以下特点迎接这一挑战：
● 卓越性能：美光HBM3E的引脚速度超过9.2 Gb/s，可提供超过1.2 TB/s的内存带宽，为人工智能加速器、超级计算机和数据中心提供高速数据访问。
● 卓越的效率：与竞争产品相比，美光HBM3E的功耗降低约30%。这有助于降低数据中心的运营成本，为不断增长的人工智能需求提供支持，并在最小功耗下提供最大吞吐量。
● 无缝可扩展性： 美光HBM3E目前提供的24GB容量允许数据中心轻松扩展其人工智能应用程序，无论是训练大规模神经网络还是加速推理任务，都提供了所需的内存带宽。
Part 2美光开始加速前行
美光科技首席商务官Sumit Sadana表示：“美光科技凭借这一HBM3E里程碑实现了三连胜：上市时间领先、一流的行业性能以及差异化的能效概况。” 他进一步表示，人工智能工作负载对内存带宽和容量的严重依赖使美光成为通过其领先的HBM3E和HBM4路线图，以及全套DRAM和NAND解决方案来支持人工智能未来增长的有利之地。
美光采用先进的硅通孔（TSV）技术等创新技术，通过其1-beta技术开发了HBM3E，这使其成为领先的2.5D/3D堆叠内存和封装技术领域的领导者。美光还通过36GB 12高HBM3E样品进一步扩大了其领先地位，该产品预计将提供超过1.2 TB/s的性能和卓越的能效。
小结
3月18日的NVIDIA GTC，美光将在全球人工智能大会上分享更多关于其行业领先的人工智能内存产品组合和路线图的信息，美光的HBM3E解决方案将成为推动人工智能发展的关键引擎，为未来的技术创新奠定坚实基础。