这篇文在大部分股民来说确实不好懂，今天再度看一次本文。
最重要的图3，左边纵向的三层，就是三种P型半导体，也就是电池的P区，极性为正，
横向的五列是五种N型半导体，也就是电池的N区，极性为负。
两两组合，PERC（黑框）是铝掺杂的P区和磷扩散的N+发射极构成PN结，极限是24.5%；
绿色框有两种组合：
1在P型硅基体背面生长SiO2，扩散磷作负极，正面烧结铝浆为正极，极限是26.9%。
2在N型硅基体背面生长SiO2，扩散磷作负极，正面扩散硼烧结银浆为正极，极限是27.1%。
1是d电池，2是b电池。
黄色框就是双面poly电池，也有两种组合：
1在P型硅基体背面生长SiO2，扩散磷作为负极，在正面生长SiO2，然后作出P区正极，极限是28.4%
2在N型硅基体背面生长SiO2，扩散磷作为负极，在正面生长SiO2，然后进行硼扩并印刷银浆烧结后形成P区正极，极限是28.7%。
这两种双面poly电池都需要把正面除了电极下方之外区域的SiO2都蚀刻掉。
蓝色框是硅基体背面生长SiO2后硼扩做P区正极，正面扩散磷作N区负极，这是P型TOPCON极限24.9%。