是重掺杂的多晶硅+超薄氧化层一起，构成了钝化加选择性接触作用。p-polo（氧化层+掺硼的多晶堆栈结构）放行空穴阻挡电子。
氧化层单独是不构成这种所谓隧穿机制的。
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p型硅基，利用这种（重掺杂的多晶硅+超薄氧化层）的方式有两种。
一是hpbc这样，叠加n-polo。
二是像典型的TOPCon电池一样，最上面薄层N型掺杂-中间厚厚的基体P-背面p-polo。（可以自己画个图理解）
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为什么没有二这种结构的P-TOPCon电池量产，因为效率比（一）。因为n-polo提升电子收集能力对电池效率提升的作用，远远强于强化空穴收集的p-polo对电池效率的作用。