该公司该季度收入创历史同期新高,营业利润也创下了市况最佳的 2018 年以来同期第二高,公司将其视为摆脱了长时间的低迷期,开始转向了全面复苏期。
SK 海力士决定加大于今年 3 月全球率先开始生产的 HBM3E 产品供应,并拓展其产品的客户群。
公司将在今年内推出第五代 10 纳米级(1b)32Gb DDR5 DRAM 产品,以加强面向服务器的高容量 DRAM 产品的市场领导力。
SK 海力士表示在 NAND 方面会进一步推进产品优化。该公司将围绕着高性能 16 组通道 eSSD 产品、子公司 Solidigm 的四层单元(QLC*)高容量 eSSD 产品,适时推出用于 AI PC 的第五代 PCIe cSSD,进一步提高产品销售业绩。
报道指出,SK海力士第一季获利表现可期,主要收益于搭载在高端AI服务器GPU的高带宽內存(HBM)需求激增,加上智能手机、个人电脑等消费性电子装置需求回升,DRAM报价上涨,让SK海力士营运主干DRAM业务大进补,提高获利能力。
2、海力士建新厂。当地时间周三(4月24日),韩国存储芯片巨头SK海力士宣布,计划在韩国投资5.3万亿韩元(合38.6亿美元),用于建设一座新的动态随机存取存储器(DRAM)芯片生产基地。
据SK海力士介绍,该公司计划于4月底开始建造工厂,预计将在2025年11月前实现量产。SK海力士在声明中称,包括计划逐步增加的投资在内,新生产基地的长期投资总额预计将超过20万亿韩元(合146亿美元)。该公司计划在现有的清州生产基地附近建立新工厂。据悉,新生产基地旨在提高DRAM的产能,重点是高带宽内存(HBM)芯片。SK海力士预测,HBM芯片市场的年增长率将超过60%,尽管随着数据中心的不断增加,普通DRAM的销量也在稳步上升。
3、与当地时间周五,SK海力士与台积电发布公告,宣布两家公司就整合HBM和逻辑层先进封装技术签订谅解备忘录。双方将合作开发第六代HBM产品(HBM4),预计在2026年投产。