发布于: Android转发:0回复:0喜欢:2

专家谈碳化硅交流会议 2022-09-09

Q:我们看到之前碳化硅整体需求并不紧张,在车上还米有 IGBT 紧张,为何最近碳化硅的热度一下子起的这么快,是需求带动?那么这个趋势会成为长期趋势吗?A:主要是炒作的结果,一是一年过去了市场预期 SiC 产能应该释放了,二是 SiC 算是新车上的一
个重要的噱头,三是许多公司发布新闻稿、调研等炒作热点,四是近期 Wolfspeed 发布业绩报增长
超预期,市场认为 SiC 的渗透率和规模即将进入增长期。其实 SiC 应用于汽车的体量和结构都是符合预期的,工业、新能源方面反而有些超预期。
Q:汽车上 IGBT 需求量要大于 SiC 的原因是?
A:一方面,2021 年 SiC 全球市场约 10 亿美金,其中仅 2-3 亿是使用在车上的,整体市场规模与
IGBT 等相去甚远;另一方面,对于车企来说,要先达成电动车对燃油车的完全替代,然后才会考虑 IGBT 换成 SiC 来降本增效。
Q:考虑到 SiC 的产能和成本,目前大部分车使用 IGBT,少部分使用 SiC 的格局是否会延续?
A:全球目前 SIC 的总量其实不大,大概在 10 亿美金,而车用占比 20-30%,且主要以 Tesla 为主

国内和美国、欧洲等市场 SIC 上车的情况
中国
美国 目前看到 SiC 市场火热主要还是被炒起来的,存在泡沫,以 Wolfspeed 举例,最近一个财年 SiC 产
品占不到 10%,下一财年目标 15%,每年保持 5-10%的营收占比增长。对于 SiC 汽车来说,2024-
2025 年是真正需要关注的时间点。
Q:车规 SiC 二极管情况如何?A:Wolfspeed 在车规 SiC 二极管方面出货量不大,一是由于公司在车规产品上较为劣势,二是车规产品并非公司专注方面。Wolfspeed 在 SiC 上主要做几方面,一是衬底和外延;二是射频,客户
是华为中兴等;三是做器件,其中工控二极管和 MOS 管占比较高,主要用于光伏、充电桩、服务
器电源等,这部分国内许多厂商如泰科天润、三安光电、瑞能半导体等都可以做,二极管方面国内同国外基本没有差距,而汽车上最主要使用 SiC 的是组逆变器,其中用 MOS 管居多,SiC 二极管则是在 OBC、DCDC 中较老的 6.6kw/3.3kw 的设计中使用,结构是 SiC 二极管+IGBT/超结 MOS,整体出货量级不大(比如 6.6kw 出货量几百万,每台用 2-3 个二极管),单价也不高,国内主要就三安在做。
Q:SiC 二极管价格是否下跌严重?
A:是的,欧美市场上二极管价格 1A 对应 xx-xx 元,汽车上能做到 xx 元以上,大概两三年前
Wolfspeed 曾将价格降到 1A xx 元左右。而国内厂商能做到 1A xx-xx 左右,工业的甚至 xx-xx 元。所以未来国产二极管的情况逐渐与 FRD 趋同,想要盈利主要看规模、工厂的控制、良率。
Q:Wolfspeed 的 SiC 衬底价格?
A:大客户衬底是 x 美金,小客户是 x 美金,但去年的情况是小客户有钱也买不到。近期有传言说
Cree 的衬底价格至 x 美金,是有可信度的,原因一是公司衬底/外延 80%以上都是供给长单,长单在价格上有让步很正常;二是去年由于疫情、封锁令等因素导致没有满产,现在 6 寸产能开始爬坡;三是公司器件能力较弱,自己的 Fab 无法生产出更多器件来提高 margin,只能卖出。xxx 美金作为 benchmark 较为合理,国内三安、天岳也都是以这个价格做基准的。
Q:SiC 衬底和外延不断降价,未来国产厂商是否没有生存空间?
A:一是中美关系无法缓和,二是 Wolfspeed 的 CEO 出席了芯片法案的签署,包括在其他场景的发言,都反映出 Wolfspeed 并不青睐中国市场,其在中国区营收占比 15%,目标是降到 10%以下。目前欧美日韩的电动车规模还未起来,故需要中国区支撑营收,未来一旦欧美日韩的市场迅速扩张,
Wolfspeed 对于中国区的出货势必大幅缩减。因此,海外企业的断供可能才是国产替代真正的核心逻辑,未来即便 SiC 衬底/外延的盈利空间逐渐变小,国内厂商也一定会有数家存活下来,保证国产供应。
Q:未来仅做 SiC 材料是否生存压力大?厂商是否需要都向 IDM 发展?
A:做材料方面确实生存压力大,但当中美矛盾爆发时,总需要几家可以自己供给的厂商。乐观估计这部分国内能有 3-5 家厂商存活下去。目前国内厂商中,天科合达做导电型,天岳先进做半绝缘型,双方都想向对方领域渗透。其他厂商中,晶盛,市场更期待它未来能做到的产能,露笑、东 尼、天域等或产能不够或质量不够好,未来还需在竞争中证明自己。
未来国内 SiC 市场格局预测
衬底
外延
器件
数量
3-5 家,其中 3 家
占绝大部分
2-3 家
3-5 家
天科合达,天岳先
进较为领先,其余
受到上有衬
2-3 家创业公
公司情况
晶盛、露笑、东
底或下游器
司,2-3 家原本
尼、天域等存在机
件厂的挤压
做硅做 IGBT 的

Q:Mohawk Valley Fab 的产能爬坡进度?
A:迅速上量至少要到 23 年中期了,原计划 22 年 4 月开业 7 月开始正常产出,现在已经延期至 22
年底或 23 年初开始产出了,目前有送样片到车企做同步验证,后续产能爬坡稳定良率等至少需要一年左右。24 财年 Wolfspeed 的规划是做到十亿美元营收,其中 3.5 亿是材料,1.5 亿是射频,5亿是器件,8 寸新工厂的贡献预计只有 4、5 千万,占 4%-5%。
Q:平面型与沟槽型的区别点?Wolfspeed 的技术难点主要在?A:平面型稳定性和可靠性较优,价格偏贵,Trench 型风险相对高一点,但成本较低。Cree 目前做到 3 代、3 代半,预计第 6 代或第 7 代才会考虑做 Trench,市场上有声音说 Cree 是技术不行做不
好 Trench,其实 Cree 相对谨慎,自身车规器件能力较弱,所以选择稳定性更高的平面型,然后通
过工艺、产线改进来进一步压榨平面型的性能(每平方厘米 Rds(ON)的数值),因为 Cree 掌握着衬底和外延的优势,再做几代平面型也来的及。对于英飞凌和罗姆来说,他们并不掌握核心材料,所以需要加速 Trench 型的技术进度。而安森美、ST 这些晚入场碳化硅的公司,选择了在平面型上迭代,目前每平方厘米的 Rds(ON)数值已经低于 Cree,说明了他们的产品性能并不比英飞凌、罗姆的 Trench 高,但迭代速度较快,且在汽车方面的 know how 积累要高于 Cree。
Q:如何看待天岳衬底销售给海外?
A:它的订单是导电型,如果要出到海外那推测可能是供给博世,但具体做 MOS 管还是二极管等是未知的。送样合格通过与能够销售海外并无联系,能够长期供给还是要看良率和产量的问题。天岳在山东的产线各方面可能已经合格了,但现在相当于要把山东的产线经验再搬到临港去,这几乎等于是拿未来两年去赌,结果暂时看不清。
Q:客户角度如何选取长期供应商?
A:一是上市公司,各方面较为可控;二是送来的样品性能参数合格;三是审核其产线工厂等均合格。对于客户来讲并不在乎对方的良率等问题,只要最后供货是客户想要的东西就好。
Q:封装上采用 DBC 还是 AMB 载板的区别?
A:两者都主要应用于模块,目前 DBC 尚未全面铺开,未来 DBC 应该是主流,AMB 在 DBC 无法解决的场景出现,部分高端替代,作为提高散热、优化性能的路径之一,非必须,相对来说市场空间较窄。用 AMB 来代替 DBC 主要是提高散热系数,但为了提高散热不一定非要用陶瓷,可以用氧化铝、氮化铝,还可以在其上覆铜、覆铝等,AMB 只是 TIM(热介质材料)之一。
Q:前面提到安森美、ST 产品的导通电阻已经低于 Cree,数据来源是?
A:公开数据来看,Cree 是 3.1,安森美、ST 是 3.4-3.6。数据来源主要是通过客户透露,以及同国产厂商聊过的信息,安森美、ST 最新能做到 2.4-2.8,不过这可能是停留在研发阶段,暂未量产。
Q:Wolfspeed 与斯达半导的战略合作,提供的产能情况如何?
A:两年到两年半,供 x 万片。斯达的产线规划是从 xxxx 开始到 xxxx 上半年。
Q:外延设备方面,主要的 LPE 和 Nuflare,Wolfspeed 有应用他们的设备么?
A:Wolfspeed 主要合作的是 Aixtron。6 寸的设备不是 Aixtron 的,是购买的 LPE 或是别家的,8 寸的购买了一台 Aixtron 行星式的,6 片还是 8 片一起工作的 MOCVD,存在外延层厚度不完全均匀的问题,Wolfspeed 和 Aixtron 的人在联合攻关这个问题,技术上是可解的。Wolfspeed 在外延方
面,水平的、垂直的、行星式的都有探索,目前没有找国内企业做外延的可能性。
Q:未来 SiC 厂商,IDM、纯设计公司的发展会如何?
A:未来 SiC 的业态会与目前 IGBT 的业态相似,市场整体不够广阔,IDM 和 Fabless 都有出来的可能性。
Q:目前 SiC 市场结构和 5 年后的推测情况?
A:目前车占 20-30%,光伏储能占大头。5 年后,50-60%会是车,20-30%是光伏储能,10-20%是充
电桩再加上数据中心、通信电源等。光伏储能虽然近期比较火热,但考虑到碳中和进度等其他因素,未来占 20-30%已经是接近上限了。如果汽车行业不起来,光伏储能充电桩之类的对于 SiC 市场空间的支撑差很多,那样 SiC 与 Si 的互卷会更加严重。

Q:光伏储能方面的 SiC 主要应用场景是什么?
A:地面电站,家用、工商用的光伏逆变等,以前多使用 SiC 二极管,现在 SiC MOS 逐渐起量。系统内部,升压部分 MTTP,DCAC,ACDC,DCDC 都可以用,主要看厂商规划。
Q:未来汽车部分占到 50-60%的成长空间主要在哪里?
A:未来电动车 400V 仍会存在,主要是特斯拉,但 900V-1200V 的应用,也就是所谓的电动车
800V 平台才是未来成长的核心内驱力。
目前,比亚迪的汉和小鹏的 G9 用的 1200V 的,而蔚来则选择了安森美的 900V 方案,结果来看蔚来的选择是聪明的。因为 SiC 在车上的应用还在起步阶段,验证不够。综合来看,SiC 在车上的应用还是只有特斯拉一家验证过,所以对于 SiC 的应用可靠性还是需要保留一定的疑虑。



-----------------------------------------------------------------------------