$万业企业(SH600641)$ 万能离子刀火了
2024年铌酸锂产业创新生态大会于2024年6月 14-15日在苏州纳米城举行。会议主题包括：铌酸锂器件的新功能与机 理，铌酸锂材料、制备与集成，光子2.0与异质 集成工艺，量子计算、传感与通信器件，产业 新品与展望等。下面截图会议报告课题及离子注入工艺在XOI异质集成材料制备上的应用。
关于薄膜材料制备，一般有同质外延生长，异质外延生长，离子注入剥离键合等方法。
同质外延生长，比如导电型碳化硅衬底同质外延生长能生成高质量碳化硅薄膜，用于车规芯片制造。化合物半导体材料有很多，有些材料能在较小尺寸下同质外延生长高质量薄膜，但是大尺寸情况下，由于材料物理特性，不易生成高质量薄膜，比如铌酸锂，钽酸锂材料；
异质外延生长，比如半绝型碳化硅衬底能够异质外延生长高质量砷化镓薄膜材料，用于射频芯片，物联网芯片等制造，原因在于碳化硅和砷化镓晶格常数相近，不易形成晶格失配所导致的错位缺陷，如果两种材料晶格常数差异较大，那么采取异质外延生长的方式，不会生成高质量薄膜，错位缺陷将严重影响器件良率。
综上所述，可以看出不管是同质外延，还是异质外延方式，都有些条件限制获取高质量薄膜材料。
离子注入工艺，即离子注入﹣键合剥离技术也称为"万能离子刀 "技 术， 可以突破不同材料之间晶格失配 、晶型失配等限制，形成高质量薄膜材料。目前基于该技术的绝缘 体上硅（si- licon on insulator, SOI)，即SOI晶圆 制备已经产业化。比如上面提到的碳化硅同质外延，异质外延，铌酸锂，钽酸锂都能通过离子注入工艺获得高质量薄膜材料。
万能离子刀火了，凯世通能火吗