$万业企业(SH600641)$ 关于凯世通高能氢离子注入研发成功的可能性。
理由如下：一、凯世通有关于RF离子源的专利；
二、凯世通预非晶化工艺采用的是碳离子注入，用的是CO产生碳离子，如果是用IHC离子源缺点在于碳离子会沉积在灯丝，并且氧离子会氧化灯丝，影响离子源寿命，因此产生碳离子的离子源应该是RF离子源，和凯世通相关专利对应；
三、高能氢离子注入，能量范围1Mkev-1.5Mkev,凯世通现有高能离子注入机高能模块用的高压直流加速方式无法满足能量要求，结合凯世通开发超高能机型，高能模块加速方式应该是RF加速器，能满足高能氢离子注入能量要求；四、凯世通媒体说明会公布了高能氢离子注入机技术路线，明确用到RF离子源。