$东方日升(SZ300118)$ 闲来无事，看了一下专利，临时总结一下(较仓促很多内容不一定不准)

首先日升说的有叠层tco的储备，放眼望去只有今年五月的一个专利，可以自己下载看一下，总结来看就是背面引入“ITO/M/ITO”结构，厚度估计是20+10+20，其中ITO也含有有部分Sn02.即下图中的181、182、183依次为ITO-M-ITO

说一下大致细节，叠层的基底层降低掺杂浓度，顶层提高掺杂浓度，中间层是金属膜层，我的大致推测是(基于纯yy，学术造纸不高切勿全信)，1、ITO是重度掺杂的n型半导体，费米能级直接高于导带而简并化的，简并化后将导致能带展宽，也即缩减惊呆宽度，导致本征激发的光子能量下限降低，吸收谱向低频、长波方向移动，也即向光伏的主要吸收段靠近，因此降低基底层的掺杂度有便于消除简并，提高禁带宽度，提高可见光透明度，而这一步操作实际和顶层相关，我下面说。2、顶部重掺杂，来做到欧姆接触，这是很常见的降低金半接触电阻的手段，当然这会导致1中所说的影响透光，所以才需要用1来弥补(1也会降低电导率，同样由2弥补了)，3、中间添加超薄的金属层(要很薄才能体现透光性)，进一步降低电阻，因为金属导电率远高于半导体，总厚度不变情况下，ito转让给金属层的这部分厚度的金属成本增加应该是小于铟的成本减少。

这个结构是有一些来头的，基本就是互补之后，总的电学光学性能都要好于单层的膜，我就引用看到的文献的内容了

然后就是这个结构的问题和进一步的提升，1、问题其实主要在于中间这个金属膜的沉积的质量，因为要透光所以要很薄，制备起来有一定要求，引用文献的内容：“如此薄的金属膜非常容易在沉积或使用过程中由于原子团的迁移等原因形成岛状结构，从而呈现出较高的电阻率，其光学透射率相应地也会降低。同时较薄的薄膜厚度还会直接导致金属膜系 的耐摩擦能力和附着能力变差”。2、这个结构正面能不能用？因为从整体看电光性能全面领先，那么把正面换了应该也可以吧？这个不确定，但是考虑到单纯背面用，应该降不到之前调研给出的1.5分/w的预期值，我想不仅正面要用，还需要稍稍再改进一下。

假定以上都问题都能解决且双面也能导入提效0.2左右，那么便可以舍弃这部分提效，渡让给azo的比例提升(再提5-10个点？)，毕竟现阶段降本收益远远大于提效。

注意以上内容非常仓促，以及本人水平低，内容可能含有较多错误，切勿作为投资依据