HBM是目前存储最热门的技术，而且热度已经远远溢出了存储行业，在当下任何一家数据中心相关公司的年报和交流中，HBM都会被反复提及，无论是英伟达、美光、还是博通。但存储产业里还有一项技术，在AI时代具备同HBM一样的潜力，那就是CXL。相较于HBM如倚天剑般的锐利，CXL更像屠龙刀，重剑无锋，大巧不工。
HBM技术通过DRAM的垂直堆叠实现高内存带宽，就像在逻辑芯片上盖起一层层高楼，但楼层不能无限制的增高，所以HBM的内存容量有天然的限制。但AI对内存的需求却没有限制，从文字到视频，从GPT3.0到GPT5.0，从一个用户到十亿用户，这背后都意味着存储容量的指数级增长。
CXL技术是解决内存容量问题的关键。和HBM建高楼的思路不同，CXL致力建立高速统一的连接标准，从CPU修双向八车道高速到内存集群。这让CXL技术的读取速度虽不能像直接在逻辑芯片上盖楼的HBM一样快，但却可以有更大的内存容量。
用专业术语来说，CXL(Compute Express Link)技术是一种高速、大容量中央处理器（CPU）到设备以及CPU到内存连接的开放标准，专为高性能数据中心计算机而设计。其建立在串行PCI Express（PCIe）物理和电气接口的基础上，包括基于PCIe的块输入/输出协议（CXL.io）以及用于访问系统内存（CXL.cache）和设备内存（CXL.mem）的新高速缓存一致性协议。串行通信和池功能使CXL内存在实现高存储容量时能够克服常见DRAM内存的性能和插槽封装限制。
在之前业内的一些交流中，CXL的未来展望包括通过CXL连接HBM，同时结合HBM和CXL的优点，获得高的读取速率，并且支持容量扩展。另一个大胆的设想是在同等pin（引脚）的情况下，直接用CXL在逻辑芯片上对HBM进行替代，以获得远远大于HBM的带宽和容量，以一个16GB的HBM3为例，其在逻辑芯片上的1920个Pin可以供64个4GB的CXL使用，从而获得256GB的容量和高达4TB/s的带宽，真的非常夸张。
总的来说，HBM和CXL各有优势，可以期待存储厂商未来对这两种技术的融合与发展，以实现高内存带宽和高内存容量。
从更大的角度看，AI的出现加速了整个存储行业的技术进步，让本次存储周期同时叠加了技术创新与需求增长，景气度远超之前，如果不是AI浪潮，那么昂贵的HBM将用在哪里？结果现在25年的产能都定完了。
把握存储大周期。