存储行业：24年市场规模同比增长66%，增速位列半导体第一名
DRAM和NAND Flash在2024年有望连续4个季度持续涨价
•存储行业：2023 上半年存储原厂减产力度进一步加强，并尝试上调出厂价格。2022 年下半年开始，在行业景气度下行的背景下，为应对市场 疲软态势带来的存储价格持续走跌，大部分存储原厂采取了降低产能利用率、缩减资本开支等方式减少存储位元供给，以缓解供过于求的局面。 根据 CFM 闪存市场，铠侠从2022年10月起减产30%，西部数据自2023年1月起减产30%，2023年4月三星宣布减产规划。2023年6月，美光表 示其专注于库存管理和控制供应，将DRAM和NAND 晶圆开工率进一步减少至接近30%，预计减产将持续到2024年。
•2023年5月起，海内外原厂先后涨价3%-5%。长江存储宣布将针对企业级客户调升NAND价格3%-5%。据Digitime报道，三星计划提高NAND 晶圆价格，SK海力士已寻求将NAND闪存价格提高5%-8%以试探市场反应，并表示NAND 闪存的价格已降至可变成本以下。
3.1、AI延伸应用的DRAM和NAND单机平均搭载容量持续增长
•2024年供应商也陆续推出AI高端芯片。随着运算速度的提升，TrendForce集邦咨询表示，2024年DRAM及NAND Flash在各类AI延伸应用，如 智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有增长，其中服务器领域增长幅度最高。
•智能手机方面，2023年存储器价格因2022-2023年市场供过于求而快速崩跌。较低的价格使得2023年DRAM于智能手机单机平均搭载容量年增 17.5%，NAND Flash单机平均搭载容量年增达19.2%，容量已能满足使用者需求。因此，2024年在尚未有AI新应用推出的预期下，不论DRAM 或NAND Flash于智能手机的单机平均搭载容量的年增长幅度将放缓，分别预估为14.1%及9.3%。
•服务器方面，伴随AI服务器需求持续增加，AI高端芯片如NVIDIA H200/B100、AMD MI350及云端服务业者（CSP）自研ASIC陆续推出或开始 量产。但由于Training AI Server是目前市场主流，其扩大采用的存储器是以有助于高速运算的DRAM产品为主，故相较于NAND Flash，DRAM 的单机平均搭载容量增长幅度更高，Server DRAM预估年增率17.3%，Enterprise SSD则约13.2%。
AI PC有望拉高PC DRAM的LPDDR比重
•笔电方面，目前AI PC市场可大致分为两大推动力量，其一，由终端应用需求推动，主由Microsoft凭借个人计算机Windows操作系统及Office等工具几 近独占市场地位，预期将推新一代Windows整合Copilot，促使Copilot变成硬需求。其二，CPU领先者Intel将为AI PC搭配CPU+GPU+NPU架构，藉此推 动发展各种终端AI应用。Microsoft规范的AI PC的CPU算力需达40TOPS以上，目前符合该规格的有Qualcomm Snapdragon X Elite、AMD Ryzen 8000 系列（Strix Point），以及Intel的Lunar Lake。
•其中，三款CPU的共同点为皆采用LPDDR5x，而非现在主流采用的DDR SO-DIMM模组，主要考量在于传输速度的提升；以DDR5规格而言，目前速度为 4800-5600Mbps，而LPDDR5x速率约7500-8533Mbps，因此LPDDR5x对于需要接受更多语言指令及缩短反应速度的AI PC更有帮助。TrendForce集邦咨 询预期，2024年LPDDR占PC DRAM需求约30~35%，未来随着AI PC的CPU规格的持续提升，LPDDR的占比也有望持续提升。
•但搭载上述CPU量产的笔电预计要到2024年下半年才会陆续推出，因此对拉高存储器容量的帮助有限，且AI PC硬件规格主要标准要求是加大DRAM容量 至16GB，SSD则并未规定必须提升至1TB。因此，预估DRAM于笔电的单机平均搭载容量年增率约12.4%，后续随着AI PC量产后，2025年增长幅度才会 更明显。Client SSD虽有单机平均搭载容量上升趋势，但受NAND Flash价格大幅回升影响，年增率预估仅9.7%。
HBM3e有望24年下半年逐季放量
•根据TrendForce，目前NVIDIA现有主攻H100的存储器解决方案为HBM3，NVIDIA新世代含B100或H200的规格则为最新HBM3e产品。不过，由于AI需 求高涨，目前NVIDIA以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏，除了CoWoS之外，HMB也是供应瓶颈。HBM生产周期较DDR5更长，投片到产出与封装完成 需要两个季度以上所致。SK海力士是最主要供应商，然而供应不足以应付整体AI市场所需。2023年末三星以1Znm产品加入NVIDIA供应链。24Q1三星 HBM3产品陆续通过AMD MI300系列验证，其中包含其8h与12h产品，因此24Q1以后，三星HBM3产品将会逐渐放量。
•2024年起市场关注焦点由HBM3转向HBM3e，预计24年下半年将逐季放量，并逐步成为HBM市场主流。24Q1由SK海力士率先通过HBM3e验证，美光于 24Q1底开始递交HBM3e量产产品，以搭配计划在24Q2末铺货的NVIDIA H200。三星预计其HBM3e将于24Q1末前通过验证，并于24Q2开始正式出货。 随着三星HBM3验证突破，及HBM3e验证有望即将完成，三星出货市占于24年末将与SK海力士拉近差距。
•NVIDIA规划加入更多HBM供应商，其中三星的HBM3（24GB）于2023年12月在NVIDIA完成验证。HBM3e方面，美光于2023年7月底提供8hi（24GB） NVIDIA样品、SK海力士于2023年8月中提供8hi（24GB）样品、三星于2023年10月初提供8hi（24GB）样品。
4、关注存储全产业链投资机会
1、模组：佰维存储、香农芯创、德明利、江波龙、万润科技、协创数据；
2、材料：雅克科技、鼎龙股份、神工股份、华海诚科、联瑞新材、德邦科技、兴森科技；
7、汽车存储：北京君正；
8、NOR FLASH：兆易创新、普冉股份、恒烁股份、东芯股份；
9、SLC NAND：东芯股份。
此为报告精编节选，报告PDF原文：
《电子设备-半导体行业跟踪报告之十一：存储行业投资机会梳理-光大证券[刘凯,孙啸]-20240328【42页】》
报告来源：【价值目录】