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ASML宣布了推出新型光刻工具的计划，该工具旨在扩展芯片设计的极限，使晶体管密度达到一个新高度。
Part 1超越高数值孔径：引入Hyper-NA
ASML前总裁Martin van den Brink在imec ITF World会议上宣布了处于早期开发阶段的“Hyper-NA” EUV技术。
该技术将数值孔径（NA）从现有的0.55 NA提升至0.75 NA。这一宣布让业界专家们大吃一惊，并标志着ASML在高数值孔径（NA）系统之后，又一次迈向新的技术高峰。
“从长远来看，我们需要改进我们的照明系统，我们必须采用Hyper-NA。与此同时，我们必须将所有系统的生产率提高到每小时400到500片晶圆。”
高数值孔径（High-NA）将早期EUV工具的0.33 NA提升至0.55 NA，帮助芯片制造商在未来十年内实现2纳米及更小的工艺节点。
根据van den Brink在imec活动上展示的图片，ASML计划在2030年左右推出超数值孔径（Hyper-NA），达到0.75 NA。这是马丁关于Hyper-NA的愿景，可行性研究目前正在进行中，这是ASML首次将Hyper-NA EUV添加到其路线图中。
Part 2面临的挑战
Hyper-NA面临着诸多技术挑战，其中之一是光的偏振问题。从0.55 NA开始，偏振问题变得显著，影响对比度。Ronse指出，需要偏振器来解决这一问题，但偏振器会阻挡光线、降低能效并增加生产成本。光刻胶的厚度在0.55 NA时已经变得极薄，而在超高NA情况下，这一问题将更加突出，给蚀刻选择性带来更大挑战。
今年4月，英特尔代工厂安装了首台高NA光刻系统。这一系统大幅提高了处理器的分辨率和功能扩展能力，使英特尔在18A工艺节点上保持领先。
然而，台积电目前还不计划安装高NA工具，而是利用其在双重图案化方面的专业知识与现有的EUV工具相结合。
其他使用EUV的领先芯片制造商，如三星、美光和SK海力士，也在考虑高NA技术。高NA预计将持续贯穿从2纳米到14埃、10埃甚至7埃的工艺节点，之后超NA将开始占据主导地位。
一旦高NA技术达到极限，Hyper-NA将成为唯一的替代方案。虽然纳米压印和多束电子束光刻技术曾被考虑作为替代方案，但其生产率和成本效益仍然不足。在光刻技术之外，研究人员正在探索新材料以缩小晶体管尺寸，但这种方法也面临物理极限。
未来，新的沉积工具和蚀刻技术将是关键，芯片的基础仍将是硅。
小结
ASML的Hyper-NA技术将推动芯片制造进入新的时代，随着技术不断进步行业创新将推动全球芯片制造的极限。