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三星电子和Synopsys公司宣布，三星已经成功利用其3纳米环栅（GAAFET）工艺技术，在移动芯片上推出了首款SoC（系统芯片）。
三星过去一直在其代工厂中使用GAA技术，但从未在自家产品中采用过。这款高性能移动SoC使用了Synopsys的AI EDA套件进行设计和验证，以提高性能。
Part 13nm SoC
这款SoC依赖于旗舰通用CPU和GPU架构，以及Synopsys的各种IP模块。设计人员使用Synopsys的AI EDA软件套件，包括DSO.ai用于微调设计和提高产量，以及Fusion Compiler RTL-to-GDSII解决方案，以实现更高性能、更低功耗和优化面积（PPA）。
三星利用Synopsys AI工具，首次在其自家移动应用处理器中使用先进的3纳米GAAFET工艺。
在设计过程中，三星采用了Synopsys的工具合作伙伴关系，通过使用Synopsys Fusion Compiler等工具，三星的SoC开发人员成功提高了芯片的峰值时钟速度，同时降低了动态功耗。
人工智能驱动的解决方案可以帮助三星实现其性能、功耗和面积目标，甚至是在最先进的GAA工艺技术中。这也奠定了一个高生产率的设计系统基础，提供了令人印象深刻的结果。
三星电子SLSI副总裁Kijoon Hong表示：“我们与Synopsys的长期合作使我们能够在移动CPU核心和SoC设计方面取得领先地位。”
Part 2下一代2nm的GAA技术
不仅如此，三星电子目前正在开发下一代的环栅（GAA）技术，应用于计划明年量产的2纳米代工工艺。三星电子将在2024年夏威夷举行的著名全球半导体会议“VLSI Symposium 2024”上发表有关应用于2纳米（SF2）工艺的第三代GAA特性的论文。
三星电子是全球唯一量产GAA技术的公司，2022年率先将其应用于3纳米代工量产。然而，由于多种原因，包括经济低迷和生产成本高昂，对3纳米工艺的需求并不大，导致这项技术的领导地位转移到了台积电。
三星电子计划在今年内开始量产第二代3纳米工艺，并推动2纳米工艺的第三代GAA。
三星已经开发了名为“MBCFET”的专有GAA技术，随着发展不断提升性能和效率。
● 基于第一代3纳米GAA工艺，与之前的5纳米工艺相比，性能提升了23％，面积减少了16％，功耗降低了45％。
● 第二代3纳米工艺预计将实现性能提升30%、面积缩小35%、功耗降低50%。
● 第三代MBCFET预计将实现更显着的性能改进和功耗降低。
三星还致力于加强2纳米代工生态系统。他们已经与50多家知识产权合作伙伴合作，拥有4000多个知识产权。他们与全球IP公司Arm合作，旨在减少开发下一代产品的时间和成本，并确保满足客户需求，包括高性能、低功耗的移动半导体和高性能计算（HPC）。
小结
在半导体迭代的过程中，投入非常高，但这是为下一个AI时代争取位置必须付出的代价。