芯片制造|英特尔高数值孔径EUV光刻工具

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芝能智芯出品

英特尔宣布其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X工厂成功安装并开始校准高数值孔径极紫外光刻(EUV)工具。该工具是业界首个商用高数值孔径EUV光刻工具,将使英特尔能够制造更小、功能更强大的芯片,进一步推动摩尔定律的发展。

高数值孔径 EUV 工具是由光刻领域的领导者 ASML 提供的 TWINSCAN EXE:5000 高 NA EUV 工具,目前正在英特尔俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地进行校准。


Part 1下一代芯片制造工具

EUV光刻是一种使用极紫外光来制造芯片的技术,是一种比传统光刻技术更精确的方法。高数值孔径EUV光刻是EUV光刻的最新进展,它将使英特尔能够制造比现有EUV工具小1.7倍的特征。

英特尔的Fab D1X工厂是全球第一个安装和校准高数值孔径EUV光刻工具的工厂,成功安装是芯片制造领域的一个重要里程碑,并将使英特尔能够制造下一代处理器。

这一工具的加入将显著提高下一代处理器的分辨率和功能扩展能力。通过改变光学设计,这一新工具能够将图像投影到硅晶圆上,从而为未来芯片的制造提供了更高的精度和性能。

高数值孔径 EUV 技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用。这一技术的应用将使英特尔代工厂能够开发出具有最具创新性的特性和功能的芯片,从而推动人工智能等新兴技术的发展。英特尔代工厂将成为行业先锋,引领芯片制造的新发展方向。

高数值孔径EUV光刻工具的优势:

更高的分辨率:能够制造比现有EUV工具小1.7倍的特征。

更高的吞吐量:能够每小时生产超过200片晶圆。

更低的成本:能够以更低的成本制造更复杂的芯片。


Part 2下一代制造技术

通过与其他先进工艺技术的结合,高数值孔径 EUV 技术能够实现比现有 EUV 工具小 1.7 倍的特征,从而使芯片密度提高 2.9 倍。这将推动芯片制造领域的摩尔定律缩放,实现更小、更密集的图案设计。

NA EUV 技术还能够提供更高的成像对比度,减少每次曝光的光量,从而降低了生产成本并提高了晶圆产量。这使得英特尔代工厂能够更加高效地生产先进芯片,并满足市场对高性能、高密度芯片的需求。

高数值孔径EUV光刻工具的应用:

下一代处理器:将用于制造更小、更强大的处理器。

人工智能:将用于制造用于人工智能应用的专用芯片。

其他新兴技术:将用于制造用于各种新兴技术的芯片。

英特尔ASML合作多年,开发高数值孔径EUV光刻技术,也是第一个安装和校准高数值孔径EUV光刻工具的芯片制造商,计划在未来几年内投资数十亿美元用于高数值孔径EUV光刻技术的开发和生产,2025年开始使用高数值孔径EUV光刻工具进行商业生产。


小结


通过这一技术突破,英特尔代工厂将努力赶上台积电,希望可以在制程方面继续引领芯片制造技术的发展,推动整个半导体行业向AI方向迈进。