科特估新技术
GAA
$柏诚股份(SH601133)$
$新莱应材(SZ300260)$
$协和电子(SH605258)$
随着 AI 半导体晶体管数量增加，通过引入 MPU、增大芯片面积，算力大幅提升，接下来我们对于 AI 半导体的新结构、新工艺和新材料等产业趋势进行前瞻性分析。
（一） 新结构：晶体管微缩、存储器件堆叠，电容使用 MIMCAP 结构。AI 半导体器件的新结构将加速由 FinFET 向 GAA 转 变。GAAFET 的器件结构中，沟道外延层、源极/漏极外延层出现多层结构，此外高性能/高带宽的 DRAM 使用 High-k 材料和金属材料，而这些材料和工艺都需要更多的 ALD 和 PVD 外延工艺。另外，随着生成式 AI 的发展，大容量数 据高速运转，DRAM 芯片使用 HBM 结构来降低互联的延迟。随着 AI 半导体的发展，未来将更多采用 3D 堆叠和低温 /复杂器件结构。AI 半导体增加了 MIMCAP 结构（Hf 基 ALD 介质层），其中 MIM 为单元电容器。
（二） 新工艺：FEOL 采用 HKMG 工艺，部分 BEOL 采用背面供电工艺。逻辑器件制造可分为前道（FEOL）、中道（MOL） 和后道（BEOL）工艺。SiON/Poly 栅极集成解决方案存在一定局限性，随着 SiON 厚度不断减小，导致了更多功率 损耗，使得 HKMG 集成解决方案应运而生。HKMG 可以降低晶体管栅氧化层厚度，通过提高晶体管速度和 Vdd 微缩 来降低功耗。背面供电工艺将电源线移动到芯片“背面”的方法，使得芯片“正面”专注于互连，英特尔背面供电方 案 IR 降低了 30%，每个核心的性能提高 6%。

新莱应材：两存+业绩+GAA
1.公司是国内真空+气体类零部件龙头，广泛覆盖国内主要设备厂商，随着北方华创等设备客户受益于产线扩产、订单明显向好，公司半导体订单同样保持良好态势，且利用率的回升将带动利润率恢复。券商口径给两存供货，直接受益于三期大基金。
2. 收入结构：23年半导体业务收入7亿+，国内海外占比接近。24年预计增至10亿+，国内占比60%+；24展望：盈利修复，预计24年收入34亿元，利润4亿元，同比增长50%+，现价PE 18x。
3.新莱应材在调研中表示公司在半导体产品封装最新技术GAA，III-V FinFET和Vertical等装配方案有全面的拓展。而美国官员正在讨论的措施将限制中国使用环绕栅极晶体管(GAA)尖端芯片架构的能力。GAA可让半导体具备更强大的能力，各家芯片制造商目前正在引入该技术。