台积电暴涨，前文逻辑再次得到验证：HBM供不应求的核心在良率问题。目前HBM存储芯片的整体良率在50%-65%，HBM良率的高低主要受到其堆叠架构复杂性的影响，涉及到多层次的内存结构和作为各层连接之用的直通TSV技术。工艺上简单说就是不仅需要架构上的堆叠，还需要加压，并且保持整体状态处于平衡。因此存储大厂纷纷加码HBM先进封装，提升HBM良率并降低功耗。这也是为什么像台积电拥有先进制程、先进封装技术的公司当下有这么强的行业定价权
而通富微电作为国内首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发的封测厂，且合作长xing开发HBM国产替代，该怎么提升估值？？$通富微电(SZ002156)$