核心逻辑：HBM显存和先进封装，HBM突破了传输的限制，先进封装让芯片规模超越了制程
NV刚计划Rubin搭载HBM4后，AMD就推出MI350要搭载288 GB的HBM3E内存
博通刚推出最先进的定制芯片一共拥有12个 HBM堆栈，甚至超过英伟达Blackwell的8个HBM堆栈，在HBM上比目前行业龙头还多出50%
无论是nv还是AMD、博通都看得出Ai芯片在存力赛道特别是HBM细分的疯狂竞争
包括美光 三星 海力士 海外三大原厂都在把产能迁移给hbm 美光预计2024会计年度将抢下HBM市场超过20%的份额，前值仅为9%
目前美光HBM3E已经通过了英伟达的认证，相比之下美光的竞争对手三星仍未通过认证 HBM已然成为当下的必争之地
HBM供不应求的核心在良率问题。目前HBM存储芯片的整体良率在50%-65%，HBM良率的高低主要受到其堆叠架构复杂性的影响，涉及到多层次的内存结构和作为各层连接之用的直通TSV技术。工艺上简单说就是不仅需要架构上的堆叠，还需要加压，并且保持整体状态处于平衡。因此存储大厂纷纷加码HBM先进封装，提升HBM良率并降低功耗。这也是为什么像台积电拥有先进制程、先进封装技术的公司当下有这么强的行业定价权而
对内看，大J金三期预期也会在高性能存储HBM上加注投资，当下形成内外共振的局面。
重点关注国内先进封装➕HBM的核心逻辑
通富微电：公司拥有国内顶级2.5D/3D封装平台及超大尺寸FCBGA研发平台，为客户提供晶圆级和基板级Chiplet封测解决方案，已量产多层堆叠NAND Flash及LPDDR封装，是国内首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发的封测厂。且公司通过收购AMD苏州及AMD槟城各85%股权，与AMD深度绑定。
消息面上也传和长⭐合作实现HBM的国产替代