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回复@大衰神BC: 为什么不能同时从底部和四周加热一定要选择呢,加热怎么都不是一个困难的瓶颈,温度要求又不是特别高//@大衰神BC:回复@金融大时代:我个人认为中短期CCZ就做不了,除非对硅片质量要求下降。底部加热可能是方案之一,但是受热面积比现有的周围一圈4个方向变成一个方向,加热速度慢非常多。热传递不是加热方式、AI控制等一堆名词能解决的。实质就一个问题,如何不提高温度让大冰块融化不会慢太多,这些和什么电加热AI数字控制没关系,至少要先提出一个解决方向,比如你说底部加热,就先不考虑长期加热坩埚同一部位可能引发的问题,至少是一个起点。
引用:
2024-06-26 20:28
$通威股份(SH600438)$ 预计明年会出一个拉晶这一块的黑科技(其实就是今年才搞的多硅心拉制技术的放大版),单锅同时拉制多根晶棒(单锅同时拉制三根以上),设备方面和设备商联合研制,这个技术会直接将常威推到拉棒切片环节的王者。CCZ技术会被直接干掉。

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要多棒拉晶,坩埚会变平底锅,拉9棒,直径变原来3倍,中间的硅料离四周加热器太远。硅熔点1410度,坩埚二氧化硅熔点1650度到1723度,实际操作温度只能在1500到1600度,温度一高,坩埚二氧化硅中氧等杂质就容易跑出来。现在操作中通过坩埚升降快速控制温度,避免坩埚局部长期受高温影响。类似你用熔点120度的材料来化冰块,不能大火,只能小火慢炖。