IBGT功率半导体的制造环节，需要用到光刻机这种设备吗？如果需要，这个设备必须从国外购买吗？国内的光刻机和刻蚀机，能否满足生产需要？知道的球友解答一下。士兰微 $斯达半导(SH603290)$ $新洁能(SH605111)$ $扬杰科技(SZ300373)$
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IBGT功率半导体的制造环节，需要用到光刻机这种设备吗？如果需要，这个设备必须从国外购买吗？国内的光刻机和刻蚀机，能否满足生产需要？知道的球友解答一下。士兰微 $斯达半导(SH603290)$ $新洁能(SH605111)$ $扬杰科技(SZ300373)$
当然需要，当前最新的IGBT7最高65nm制程，目前IGBT基本都是90nm以上制程，国内上海微电子90nm光刻机是可以做的，有无出货不清楚，目前产线看到的还是进口的，蚀刻机中微和北方华创都能搞定也能批量出货。按理说功率半导体不存在中远期不存在卡脖子问题。
IGBT等功率器件芯片对制程的要求，没有逻辑芯片等集成电路芯片那么高，主流制程普遍在350nm以上，最新的制程需求是150nm, 所以对应的光刻机设备不会受到像14nm、7nm制程那样的约束。随着国内制程技术的逐步成熟，IGBT芯片制造设备（含光刻设备）的国产替代也正在加速。
暂时都不要碰就对了，国内就北方华创还可以
igbt需要光刻机。设备大部分需要国外买，65纳米制程工艺就够了，就近的日本就有。国内设备厂商目前还比较落后，有巨大替代空间。
功率半导体制程用不了那么高，和存储或者逻辑不一样，所以28nm，或者14nm就差不多，设备也是要用的，但不用特别先进的
6-8基本上国外产的二手机台 。12 有部分国产腐蚀，薄膜机台。曝光机没有国产的。一般asml nikon canon
五六十纳米，国内生产线28纳米以上的没问题，14纳米的正扑面而来