国内碳化硅衬底长晶效率接近科锐，目前主要是良率有待提高；碳化硅长晶速率慢，15-1个月一炉；科锐晶锭厚度可以达到40毫米，国内能做到20毫米，延长时间可以做到35毫米。
碳化硅器件：行业目前扩产速度跟不上需求的增速，一个是设备交期延长，导致产线建设时间从之前的半年延长至现在超过一年；另一个是从晶圆切片时候良率低，50%左右。
关于器件可靠性：碳化硅一致性是大单管并联路线重要考虑点，在处理大电流时候容易失效；二是器件面积小，散热问题需要重点解决；三是将碳化硅器件与配套共同形成的模块可靠性也需要重点考虑，尤其是高频带来的过热问题。降本路径需要依靠产品设计、制造工艺的稳定性入手。
碳化硅器件带来的成本增加与电池成本下降达到平衡，是碳化硅能否放量的核心逻辑，目前产业应用看，碳化硅器件更适合大车型，主驱、空调可能会用，前驱也会用但不划算。
衬底可靠性提升路径：对原料的控制程度（碳化硅粉体合成精准控制，籽晶缺陷指标控制）、生长过程中温度、浓度梯度控制，主要目的是减少晶体缺陷密度。