6 月 17 日消息，台媒《工商时报》报道指，在产能供不应求的情况下，台积电将针对 3/5nm 先进制程和先进封装执行价格调涨。
其中 3nm 代工部分将涨价 5% 以上，而 2025 年度先进封装报价也将上涨 10~20%。
在 3nm 制程上，几乎全部先进芯片设计企业均有在台积电下单。台积电 3nm 整体产能利用率长期接近满载，这一趋势将延续到 2025 乃至 2026 年。
台积电 5nm 系节点也持续接获 AI 半导体订单，产能利用率同样较高。
而在先进封装领域，产能缺口集中在实现 HBM 内存同 AI 加速器整合的 CoWoS 工艺上。
台积电 2025 年 CoWoS 产能达 53 万片，约合月均 4.2 万片，较目前的 3.3 万片进一步提升，仍不及全年 60 万片的市场需求。
通富微电DDR5 HBM封装单价500元/颗，目前产能6w颗/年(试验线)，至24Q3扩产完毕的年产值100w颗/年，对应年收入5e，50%毛利率，估计2e利润，对比22年5e/23年1.69e利润，增量明显，通富切入HBM，叠加全球产能短缺因素，将持续提升Q3/4业绩。
$通富微电(SZ002156)$ $长电科技(SH600584)$ $雅克科技(SZ002409)$