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理论上5是没法做出来的,因为FIN+DUV的极限是7,那如果今年920或者9010出来了,就非常值得重视。

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如果是台积电来做,finfet+duv做出5nm是绝对没问题的,它的7nm是finfet+duv+sadp做的,还没用上更激进的saqp。理论上saqp能比sadp密度翻倍,不过成本非常高,不划算。其他家一般需要用比台积电更高一档上限的技术,才能做到台积电同等密度,比如英特尔的7nm就是finfet+duv+saqp。更早的比如finfet,hkmg,都是台积电比英特尔晚一代引入,却能在引入之前达到和英特尔差不多的水平。$台积电(TSM)$ $英特尔(INTC)$

肯定是gaafet+duv,

7会不会已经够用了,比如AI、昇腾

02-28 10:48

这个5能不能做其实也都是极少数人说的,其他媒体反复复述。5也好7也好,真正进步的是晶体管密度,可能路径不止一条。

02-28 10:36

中芯?

02-28 10:31

14以下的数字只是个虚指,他说是就是

02-28 10:31

人家不是2了吗