哥 机器人能行吗 啊啊啊

看困了

车路协同+机器人=变形金刚

我来卫星了

哪位吊大的兄弟提示下，猫神说的卫星是哪个

龙头还是我的大斯菱。

三角还在吗，横不住了的感觉

今天买被套了呀

新技术来了GAA：柏诚 亚翔 新莱
随着 AI 半导体晶体管数量增加，通过引入 MPU、增大芯片面积，算力大幅提升，接下来我们对于 AI 半导体的新结构、新工艺和新材料等产业趋势进行前瞻性分析。
（一） 新结构：晶体管微缩、存储器件堆叠，电容使用 MIMCAP 结构。AI 半导体器件的新结构将加速由 FinFET 向 GAA 转 变。GAAFET 的器件结构中，沟道外延层、源极/漏极外延层出现多层结构，此外高性能/高带宽的 DRAM 使用 High-k 材料和金属材料，而这些材料和工艺都需要更多的 ALD 和 PVD 外延工艺。另外，随着生成式 AI 的发展，大容量数 据高速运转，DRAM 芯片使用 HBM 结构来降低互联的延迟。随着 AI 半导体的发展，未来将更多采用 3D 堆叠和低温 /复杂器件结构。AI 半导体增加了 MIMCAP 结构（Hf 基 ALD 介质层），其中 MIM 为单元电容器。
（二） 新工艺：FEOL 采用 HKMG 工艺，部分 BEOL 采用背面供电工艺。逻辑器件制造可分为前道（FEOL）、中道（MOL） 和后道（BEOL）工艺。SiON/Poly 栅极集成解决方案存在一定局限性，随着 SiON 厚度不断减小，导致了更多功率 损耗，使得 HKMG 集成解决方案应运而生。HKMG 可以降低晶体管栅氧化层厚度，通过提高晶体管速度和 Vdd 微缩 来降低功耗。背面供电工艺将电源线移动到芯片“背面”的方法，使得芯片“正面”专注于互连，英特尔背面供电方 案 IR 降低了 30%，每个核心的性能提高 6%。