| 发布于: | 雪球 | 回复：12 | 喜欢：1 |
重复别人的宣传而已，去年到现在GaN的售价已经从2美金往2人民币走了，你问问TSMC晶圆价格降了嘛？售价的逼近并不是技术突破而是竞争激烈，因为对手SJ价格就在2人民币以下。SJ的充电效率比GaN低2-3%而已，而GaN的控制要比SJ更复杂。在对体积没有要求的充电桩和光伏领域，早已是SJ的天下，GaN凭什么进来呢？
这位再用“只能”后，就已经限制住了其想象力了。技术是会有发展和突破的，这是我看到的一篇文章，关于楼主的“只能做”平面器件，耐压上不去的思考。目前硅基氮化镓厂商正在通过外延、器件结构、驱动控制电路推动产品向高耐压（目前已有1200v的产品）和高可靠性（目前已有高压器件的理想可靠性数据）不断演进，且氮化镓器件的售价已经逼近硅MOS，产品性能、品质、成本不断逼近甜蜜点。
硅基GaN只能做平面器件，耐压上不去；异质外延可靠性差，工业不敢用的；消费类成本和mosfet没法比，也就是在充电头这个特殊应用对体积要求高功率不高可靠性不高的市场。100倍PS估值挺搞笑的…
耐压上不去？$Navitas(NVTS)$
请问SJ是哪一家公司
涨起来是没道理，就是炒作工具，记得别接最后一棒就好