| 发布于: | 雪球 | 回复：0 | 喜欢：2 |
在半导体器件中，铜原子可能会在特定条件下发生迁移。以下是一些可能导致铜原子在半导体上迁移的情况：
- 电迁移：当施加电流时，电子与铜原子相互作用，可能导致铜原子在互连中迁移。这可能会引起互连的损坏和可靠性问题。
- 高温：在高温环境下，铜原子的扩散速率可能增加，从而导致它们在半导体中迁移。
- 工艺缺陷：例如在晶圆制造过程中，如果铜与硅晶圆之间没有有效覆盖阻挡层，在高温焊接过程中就可能会产生铜迁移。
为了防止铜原子在半导体上迁移，可以采取一些措施，如使用阻挡层、优化工艺条件、降低工作温度等。此外，对半导体器件进行可靠性测试和质量控制也非常重要，以确保它们在使用过程中不会出现铜迁移相关的问题。
钟宝申说，非银研发7年，我们走了很多弯路。这个弯路，我怀疑就是线性思维的，用铜电镀和银包铜，这是非常正常的思维模式。大概一年半前，听说他们放弃了银包铜技术路线，至于铜电镀就不知道后来怎么样了。
是的，所以我一直很关注少银、去银技术。
铝浆性能是没问题，但栅线太宽了，哪怕是辅栅也有100μ，主栅足足600μ。
相对而言溅射蒸镀可以把辅栅线做到20甚至15μ，而且性能更好，我更好看这个路线。