今天A股市场上证指数跌了0.76%、深证成指微涨0.07%。看起来大盘指数是跌的，但是A股5364只股票，上涨3043只（占比56.7%）、收平184只、下跌2137只（占比39.8%）。虽然大盘指数跌了不少，但其实上涨家数比下跌数量要多40%。
我把一些结论放在（指··示==兴#球）“刘翔科技研究”。随着跟踪的推进，观点的修正也是持续进行的。然而，敢于亮出观点就是态度，真诚欢迎各位读者参与进来一起在兴 ==球讨论。我平时也会不定期对一些最新科技动向做解读。帮助读者透过现象看本质、真正理解事物的底层逻辑，从而 研究发现机会，行动创造价值，积累在平时。
结构性上来看，科创100涨幅2.84%、科创50涨幅2.43%位居板块涨幅榜前列；红利指数跌幅1.86%、中国A50指数跌幅1.66%位居跌幅榜前列。
然后从全年涨幅来看，今天涨的比较多的科创100年初至今其实还是跌了接近20%；而今天跌的比较多的红利指数年初至今却是涨幅13.4%。可见市场在高低切，从红利板块切到科创板块。
最近有一个词，特别火，“科特估”。近期政策暖风不断，配合新“国九条”，改善前沿科技融资环境。当前国内信用周期底部，“新质生产力”亟需大量融资，前提条件是民间资本在一级市场广泛参与。而历史上看，一级市场的大规模融资往往以二级市场的牛市为前提。“科特估”也应契合大基金三期主投的方向。
在国家大基金三期公司成立的第一时间，我们公众号第一时间发布文章《大基金三期，你读懂了吗？》，指出：
第一期规模987.2亿元、第二期2014.5亿元、第三期3440亿元。第三期规模超过第一期与第二期总和，可见国家对发展半导体决心之大之持续。
预期三期投向领域三大块：
1. 半导体先进工艺制造和先进封装会是绝对大头。三期3440亿超过一期和二期加总规模。这么大的资金规模，如果没有半导体制造和先进封装这两个重资产消纳，这钱很难花出去。你想，比二期多出了1000多亿。合理推测：三期这次在半导体制造和先进封装这块的投资权重，应该比一期和二期都要高不少。但投的肯定不是成熟制程，一定是先进制程。当前全球硬科技竞争最顶尖的AI领域，是全球最先进的芯片制程工艺+先进封装工艺（比如Cowos）合力。
2. 存储及AI相关高速存储HBM。存储本来就站半导体1/3的市场规模，当前AI的竞争除了算力之外，随着AI集群网络化趋势，存力和运力反而是更为竞争的焦点。
3. 严重卡脖子的一些关键半导体设备和材料，比如光刻机、光刻胶这类。注意绝对不是普通的半导体设备和材料。在一些相对壁垒较低的半导体设备，当前国内很多半导体设备厂商已经开始内卷了，这间接说明国家大基金前两期的成效体现了。不过这块，我认为缺的不是资金，还是技术积累，这些领域需要的是时间。
今天半导体板块领涨全市场，体现了科特估特色。其中涨幅前20的个股为：
半导体板块中涨幅前20的个股，年初至今80%还是跌的，平均跌幅在25%左右。可见半导体科特估当前启动位置相对较低，这为后续行情进一步上攻提供了有利条件。
结合大基金三期的投向预判+“科特估”的“科”含量和“特”含量，我预判以下几大条条线的行情将具备较好的持续性：
先进工艺节点的晶圆制造。中美科技竞争中，美国遏制中国科技的最大“七寸”就是先进工艺。美国将“总处理性能”及密度（Total Processing Performance, TPP）作为出口管制的标准。单芯片的算力如果超过了300 teraflops，或性能密度超过每平方毫米370 gigaflops，将被禁止出口。因为要达到高的性能密度，就必须晶体管密度高，意味着晶体管尺寸小。限制性能密度，就等同于限制工艺制程精度。所以这块是未来中国科技突破的重中之重。
高速存储（High-Bandwidth Memory ，HBM）。存储不单占所有半导体整体的1/3以上，而且当前AI最大的瓶颈不是算力、而是存力和运力。因而HBM以下几条细分条线要重视：
首先肯定是HBM 晶圆制造能力。HBM虽然也是一种DRAM，但是高端的HBM需要使用用EUV光刻1-α、1-β DRAM、1-γDRAM。而且相同容量HBM比普通DRAM更多耗2倍以上晶圆产能。
HBM之所以是HBM，是因为使用了堆叠。目前全球最领先的海力士HBM4做到16层。所以这里面涉及很关键的电子材料，及相关的晶圆后道堆叠的工艺能力及TCB（热压焊接）控制、晶圆卷曲控制能力；
如何将16层的高密度晶圆堆叠良率做高，散热做好？首先是关键的半导体填料（用于填充die和die之间、die和载板之间）、半导体塑封料、或硅或玻璃中介层、ABF载板。其实是设备，涉及TSV设备、TCB设备、光刻设备（不一定stepper光刻，有可能采用激光直写光刻）等。
最后因为HBM对普通DRAM的产能挤占，从而引发普通DRAM及内存模组的相关机会。
DDR5 高速内存。HBM作为最快速也是最大容量的内存，被应用于AI云端服务器。如果HBM求而不得，作为退而求其次的DDR5则有可能被用于服务器中。同时在AI终端中，内存选择则是以DDR5为主。为此DDR5相关机会存在以下：
DDR5的内存颗粒厂商及模块厂商；
DDR5的高速接口芯片或IP厂商。很多人可能并不知道，其实内存里面是有PHY的，这个PHY就是起到高速接口作用。
DDR5配套的芯片。无论是服务器还是个人电脑，CPU与内存之间的数据传输通信是有标准协议的，这个协议当前是PCIe，未来会进化成CXL。所以这个协议规范对应的PHY芯片、Switch芯片，也必须升级。同时这些传输的数据和时钟，速率提升之后，或CPU或内存不一定能实时响应，就还必须要用到数据缓存和时钟缓存芯片。
先进封装。这里不单包括从事先进封装的厂商，还包括先进封装的配套设备和材料厂商。为了提供高带宽、低延迟、高功率和高成本效益的芯片，全球十大科技巨头（包括微软、谷歌、meta、台积电等）制定了UCIe规范，在芯片封装层面确立互联互通的统一标准。这块细分机会包括：
精密度涉及至几十nm级的半导体封装工艺厂商。传统的半导体封装厂商与晶圆制造厂商在工艺精度上存在明显鸿沟的，所以这块并不是大家理解的传统半导体封装厂商就能做先进封装。
W2W(Wafer 2 Wafer)、D2W（die 2 wafer）、C2S（Chip 2 Substrate）、FC（Flip-Chip倒装）中使用的固晶、生长bumping、焊接、光刻（没错大量的光刻需要用到，包括硅中介层和载板层）的设备。
高介电常数、低介电损耗的电子材料保证芯片内部信号高速传输又具备良好电磁兼容性；同时还要求芯片产生的大量的热量能及时散热出去。
相关的研磨材料、电镀液、清洗液、光刻胶等相关材料。
一些高壁垒的逻辑芯片设计公司。以上谈到AI时，提到算力、存力和运力。这里面的算力芯片公司、存力芯片公司大家容易想到，资本市场也有充分发酵，但是运力芯片公司却没有被充分认识。比如高速serdes、PHY、具备核心算法的专用芯片等等。这个大类里面品种是很多的，需要有专业能力的投资者来分辨其壁垒，理解其稀缺性。
需要使用到特色工艺的半导体公司。这些公司不仅仅是晶圆厂，往往这些核心工艺掌握在芯片设计公司手里。比如输入是高压、输出电压虽不高但电流却高达上千安培的一些使用BCD工艺的高端芯片，比如能提供高功率密度、小体积的SiC深沟槽工艺的MOSFET等。
光刻机、光刻胶等高端设备和材料。这块市场被教育了很多次，我就不赘述。
有一点可以肯定的是：无论是运算还是存储还是传输，数据速率和容量都在指数级提升。指数级提升就会带来电磁的高密度兼容问题和散热问题，这两个才是所有未来科技手段要解决矛盾焦点。能解决或缓解这矛盾焦点的电子材料才是科特估的制高点之一。