微导纳米 招股说明书(注册稿)：报告期内，公司设备在半导体领域 28nm 逻辑器件制造过程中栅氧层工艺必备的高介电常数(High-k)材料沉积环节已产业化应用，其实现的功能如下：
在晶圆制造进入 65nm 制程及之前，集成电路主要通过沉积 SiO2 薄膜形成栅极介质减少漏电，
但进入 45nm 制程特别是 28nm 之后，传统的 SiO2 栅介质层薄膜材料厚度需缩小至 1 纳米以下，将产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化，已不能满足技术发展的要求。 而高 k 氧化物作为栅介质层，可以在降低等效氧化物厚度(EOT)的同时，抑制漏电流的产生。由于高 k 的栅介质层厚度往往小于 10nm，所需的膜层很薄 (通常在数纳米量级内)，公司 ALD 设备凭借原子级别的精确控制及沉积高覆盖率和薄膜的均匀性，制备的高 k 材料 HfO2 较好的满足了 28nm 逻辑器件制造过程的需要。除上述在半导体领域已实现产业化应用的功能外，公司 ALD 设备沉积的 HfO2、ZrO2、La2O3 以及互相掺杂沉积工艺可用于新型存储器如铁电存储 (FeRAM)芯片的电容介质层，沉积的 Al2O3、TiN、AlN 可用于化合物半导体、 量子器件的超导材料导电层等，上述应用均已完成客户的试样测试并签署订单。
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