杨子贺

讨论

B100芯片边际：
CoWoS封装消耗的显著增加：尺寸是H100的约2倍。可能会采用CoWoS-L封装结构，TSMC将增加外包给ASE的On-Substrate封装。
更大的逻辑芯片：ABF基板面积消耗的约2倍增加。
更多的HBM内存堆栈：配备160GB/192GB的HBM3e内存
散热和热管理：B100仍将采用3D VC（空气冷却）...