B100芯片边际：

CoWoS封装消耗的显著增加：尺寸是H100的约2倍。可能会采用CoWoS-L封装结构，TSMC将增加外包给ASE的On-Substrate封装。

更大的逻辑芯片：ABF基板面积消耗的约2倍增加。

更多的HBM内存堆栈：配备160GB/192GB的HBM3e内存

散热和热管理：B100仍将采用3D VC（空气冷却）为主流。GB200会让冷板（液体冷却）成为客户的首选芯片级热解决方案。