图片来源:捷捷微电
捷捷微电近日在投资者调研活动中透露,其与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件,截至2024年第一季度末,其拥有SiC和GaN相关实用新型专利6件,发明专利1件;此外,捷捷微电还有10个发明专利尚在申请受理中。其目前有少量SiC器件的封测,该系列产品仍在持续研究推进过程中,尚未进入量产阶段。
文:集邦化合物半导体Zac整理