source:季华恒一
早在2022年4月,季华实验室成功研制出6英寸SiC高温外延装备,整机国产化率超过85%。同年11月,季华实验室“宽禁带半导体SiC高温外延生长装备开发和产业化”项目顺利通过中期检查。
背靠季华实验室,季华恒一近年来稳步推进SiC设备研发与产品交付。去年5月,季华恒一宣布自主研发的高温离子注入设备交付客户,可兼容4至8英寸SiC晶片的离子注入工艺。
同年7月,季华恒一为浙江芯科半导体公司提供外延、光刻、高温注入、激活退火、背面减薄、激光退火等关键工艺设备,成功试制首批6英寸1200V SiC JBS 晶圆样品。经检测,良品率超过95%。12月,其SiC激光退火设备再次交付新订单。
通过本轮融资,借助投资方的资金支持,季华恒一有望进一步提升品牌影响力和扩大市场份额。
文:集邦化合物半导体Zac整理