近日，扬杰科技和新洁能2家第三代半导体相关厂商分别取得SiC、GaN相关专利。
扬杰科技取得GaN MOSFET专利
天眼查资料显示，5月10日，扬杰科技取得一项“一种氮化镓MOSFET封装应力检测结构”专利，授权公告号CN110749389B，申请日期为2019年12月1日，授权公告日为2024年5月10日。
source：国家知识产权局
该专利摘要显示，一种氮化镓MOSFET塑封应力检测结构、涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及一种氮化镓MOSFET塑封应力检测结构。提供了一种方便检测，提供检测可靠性的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构。包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的塑封层，所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓MOSFET结构层、制作在衬底底部的压阻、制作在衬底底面上的绝缘层、制作在绝缘层上的电极层，所述衬底的材料为单晶硅。本发明的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构的制备工艺与常规氮化镓MOSFET芯片制备和封装工艺兼容，制备过程简单易行。
此前，在第三代半导体领域，扬杰科技全面聚焦SiC产业，其2023年年报显示，公司已开发上市G1、G2系SiC MOSFET产品，型号覆盖650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ，已经实现批量出货，其中1200V SiC MOSFET平台的比导通电阻（RSP）已做到3.5mΩ.cm2以下，FOM值达到3300mΩ.nC以下，可对标国际水平。2023年，扬杰科技还开发了FJ、Easy Pack等系列SiC模块产品。目前，其各类产品已广泛应用于新能源汽车、光储充、工业电源等领域。
其中，在当前十分火热的车用场景，扬杰科技自主开发的车载SiC模块已经研制出样，目前已经获得多家 Tier1 和终端车企的测试及合作意向，计划于 2025 年完成全国产主驱SiC模块的批量上车。
在此前已组建GaN研发团队的基础上，伴随着此次扬杰科技取得新专利，其业务布局有望进一步向GaN产业加大渗透。
新洁能取得SiC SBD专利
天眼查资料显示，5月10日，新洁能取得一项“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法”专利，授权公告号CN109037356B，申请日期为2018年10月15日，授权公告日为2024年5月10日。
source：国家知识产权局
该专利摘要显示，本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，半导体基板包括N型碳化硅衬底及N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区及条形第一N型阱区，在条形第一P型阱区和条形第一N型阱区下方或下表面设有若干个间隔分立的条形第二P型阱区及条形第二N型阱区，条形第一P型阱区分别与条形第二P型阱区、条形第二N型阱区间呈30度~90度的夹角；本发明通过在条形第一P型阱区下方设置与条形第一P型阱区呈一定夹角的条形第二P型阱区，同时提高条形P型阱区间条形N型阱区的掺杂浓度，大幅增加器件的击穿电压，改善器件的浪涌电流能力。
作为一家功率半导体厂商，新洁能目前正在全面布局第三代半导体产业两大代表材料SiC和GaN。在SiC领域，2023年，新洁能已开发完成1200V 23mΩ 75mΩ和750V 26mΩ SiC MOSFET系列产品，新增产品12款，相关产品处于小规模销售阶段。
在GaN领域，2023年，新洁能650V/190mΩ E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mΩ D-Mode GaN HEMT已开发完成，新增产品2款，并通过可靠性考核，其100V/200V GaN产品正在开发中。
此次取得新专利，有助于新洁能进一步提升SiC SBD产品技术水平。
文：集邦化合物半导体Zac整理