近日，晶盛机电和晶升股份两家SiC厂商相继披露了在8英寸方面取得的新进展。
晶盛机电：6、8英寸SiC衬底片已批量销售
3月20日，晶盛机电在互动平台表示，自2023年11月4日签约并启动“年产25万片6英寸、5万片8英寸SiC衬底片项目”以来，公司积极推进项目进度与产能提升，目前6、8英寸SiC衬底片已实现批量销售。
2023年以来，在SiC衬底研发与产业化方面，晶盛机电持续突破。2023年12月5日，晶盛机电披露最新调研纪要称，2023年11月，晶盛机电正式进入了6英寸SiC衬底项目的量产阶段，而8英寸衬底片处于小批量试制阶段。随后在12月中旬，晶盛机电披露8英寸SiC衬底已实现批量生产。
source：晶盛机电
与此同时，晶盛机电致力于SiC相关设备研发。2023年2月，晶盛机电成功发布6英寸双片式SiC外延设备，该SiC外延设备在外延产能、运营成本等方面进行了优化，与单片设备相比，新设备单台产能增加70%，单片运营成本降幅可达30%以上。
在6英寸SiC外延设备基础上，3月20日，在SEMICON China 2024上海国际半导体展期间，晶盛机电发布了8英寸双片式SiC外延设备、8英寸SiC量测设备等8英寸SiC设备，意味着晶盛机电正在从衬底、设备等环节全面布局8英寸SiC产业链。
晶升股份：已向多家客户交付8寸SiC长晶设备
3月19日，晶升股份在投资者调研活动中表示，SiC 8英寸替代6英寸的速度快于预期，国产SiC衬底厂商的技术水平也在加速进步中，晶升股份已向多家客户交付8寸SiC长晶设备。
晶升股份披露，切割设备计划于今年4月左右发往客户现场做最终测试，若测试成功即可正式推出。CVD 8英寸多片机的研发样机已经完成，目前正在公司内部进行功能测试中，之后预计会提供给研究机构等做相关测试。
source：晶升股份
据悉，晶盛机电于2023年6月宣布成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式SiC外延生长设备。据介绍，该设备可兼容6/8英寸SiC外延生产，在6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺气体精确分流控制等技术基础上，解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等控制难题，实现了成熟稳定的8英寸SiC外延工艺。
2024年1月初，晶升股份在投资者关系活动中介绍了SiC长晶设备的研发进展。据介绍，晶升股份8英寸SiC长晶设备进展顺利，已通过了客户处的批量验证。
项目方面，2023年11月28日，晶升股份宣布，公司总部生产及研发中心项目完成封顶。据了解，该项目是在晶升股份现有主营业务的基础上实施产能扩充，同时进行晶体生长设备和长晶工艺的技术研发与升级，有助于晶升股份加快研发成果产业化、拓宽产品线。
在SiC产业加速向8英寸转型趋势下，晶盛机电和晶升股份不断在8英寸领域取得新进展，在一定程度上有望抢占8英寸市场先机。
文：集邦化合物半导体Zac整理