source:TI
产能方面,TI日本负责人Samuel Vicari在2023年2月曾透露,将扩大在日GaN晶圆产能。据悉,扩产的原因在于TI使用GaN的相关产品需求较高,为此,TI将主要投资福岛县的会津工厂以扩大产能。
此前,TI日本会津工厂产能并非全部用于GaN产品,而通过最新的转型规划,TI有望将GaN半导体提升为会津工厂主要产品,其GaN晶圆产能将进一步扩大。
产品方面,GaN功率器件市场的发展主要由消费电子所驱动,目前核心仍在于快充。不久前,TI发布了低功耗GaN系列新品,可助力提高功率密度、提升系统效率、同时缩小交流/直流消费类电力电子等产品的尺寸。
如今,消费者需要更小、更轻、更便携,同时还能快速充电的高能效电源适配器,而借助TI发布的新品,设计人员可将低功耗GaN技术优势应用到更多消费者日常使用的产品中,如手机和笔记本电脑适配器等。
TI低功耗GaN产品有助于推动GaN技术在消费电子领域的进一步渗透,同时在一定程度上带动公司GaN业务板块业绩增长。
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小结
此次向8英寸转型,配合2023以来实施的扩产计划,TI未来有望提供更多GaN相关产品,在GaN供不应求的大环境下,分食更多市场份额。
成本问题是制约GaN产业快速发展的因素之一,向8英寸以及更大尺寸转型是降低GaN器件成本可行之法。TI实施8英寸转型战略,既有助于降低自身GaN产品成本,也有望在一定程度上推动市场上相关产品降价,进而扩大应用,推动产业正面发展。
文:集邦化合物半导体Zac