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英飞凌1200V CoolSiC MOSFET模块系列新添62mm工业标准模块封装产品。62mm封装之产品采用半桥拓扑设计及沟槽式芯片技术，此封装为碳化硅打开了250kW以上，硅基IGBT技术在62mm封装的功率密度极限，中等功率应用的大门。相较于一般的62mm IGBT模块，碳化硅的应用范围更扩展至太阳能、服务器、储能、电动车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。
该62mm模块配备英飞凌CoolSiC MOSFET，可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和导通损耗可减小散热元件尺寸。在高开关频率下运作时，可使用更小的磁性元件。透过英飞凌CoolSiC芯片技术，客户可以设计出尺寸更小的变频器，进而降低整体系统成本。
新产品采用62 mm标准基板和螺丝固定方式，具有高强固性的外壳结构设计，且设计经过最佳化，可达到最高的系统可用性，同时降低维修成本以及停机损失。良好的温度循环能力和150°C的连续工作温度(Tvjop)，带来系统可靠性。其对称性的内部设计，能让上下开关达到相同的切换条件。亦可选配热界面材料(TIM)，以进一步提高模块的热效能。
采用62 mm封装的CoolSiC MOSFET 1200V分别提供6mΩ/250 A，3mΩ/357 A和2mΩ/500A型号选择。另外还推出有助快速特性化(双脉冲/连续作业)的评估板，为便于使用，还提供了可弹性调整的闸极电压和闸极电阻。此外，还可作为批量生产驱动器板的参考设计。
文稿来源：Microelectronics