东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块

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【TechWeb】8月30日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块——“MG250YD2YMS3”。 新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电... 网页链接