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05-21 05:50

SiN 硅光工艺平台实现关键突破,传输损耗<0.1dB/cm,并实现一款激光雷达和一款光通信产品的量产,产品良率达 95%以上;正在导入多款可应用于O-Band、C-Band 不同波段下的通信类产品;SOI 硅光工艺平台完成了关键器件工艺开发。