中新网3月3日电 据中国国防科技信息网报道，美国雷神公司2月25日宣布，该公司承担的宽能带隙半导体项目已使氮化镓（GaN）技术在从基础材料到晶体管、单片微波集成电路（MMIC）、发射机/接收机（T/R）模块和最终的发射机/接收机多信道集成模块（TRIM... 网页链接