高通公司取得SRAM增强专利,上拉电路可以在写入操作期间增加非零位线与零位线之间的电压差

转自:金融界 本文源自:金融界 金融界2023年12月1日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司取得一项名为“用于SRAM产出增强的面积高效的写入数据路径电路”,授权公告号CN111164691B,申请日期为2018... 网页链接
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