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SiC 虽好，但良率低、成本较高是制约发展因素。虽然 SiC 是长期趋势， 但是 SiCMOSFET 短期内难以取代 IGBT。SiC 在磊晶制作上有材料应力的 不一致性，造成晶圆尺寸在放大时磊晶层接合面应力会超出拉伸极限，导 致晶格损坏，降低了产品良率，故目前 SiC 芯片成品率低，晶圆尺寸主流仍维持 4 寸或 6 寸，无法取得大尺寸晶圆成本优势，生产成本过高。 当前 制约 SiC 器件发展的主要因素在于其高昂的价格，而成本的主要决定因素 是衬底和晶圆尺寸。随着未来 SiC 向大尺寸方向发展，良率有望进一步提 升，成本有望进一步下降，应用空间有望进一步打开。